9月7日，瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结MOSFET产品，实现该前沿技术从实验室到产业化的落地突破。
该产品由瑶芯微电子联合中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队历时五年联合攻关，同时协同晶圆代工厂芯联集成完成工艺平台开发，完成产学研与制造端的协同落地。
据《科创板日报》获取的器件参数，这款碳化硅超级结MOSFET实现1635V超高耐压；室温和175℃高温条件下，比导通电阻分别达到1.27 mΩ·cm²、1.5 mΩ·cm²。在温度特性上，器件25℃‑125℃区间导通电阻实现零温漂，175℃下温度系数小于1.2倍。
对比传统平面、沟槽型碳化硅器件1.8‑2.2倍的温度系数，高温导通电阻漂移问题得到明显改善，更适配新能源汽车、储能、工业高压设备等高温工况场景。
传统碳化硅MOSFET普遍存在导通电阻随温度升高明显抬升的现象，在大功率长时间运行场景下会带来额外损耗。碳化硅超级结结构通过电荷平衡设计，缓解耐压与导通电阻之间的性能矛盾，同时优化器件全温域表现，是下一代高压碳化硅器件重要技术路线。
（集邦化合物半导体整理）
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