Author Archives: huang, Mia

科技部发布2023重点专项申报,涉及第三代半导体材料与器件

作者 |发布日期 2023 年 03 月 31 日 16:04 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月29日,科技部关于发布国家重点研发计划“先进结构与复合材料”“高端功能与智能材料”“新型显示与战略性电子材料”“稀土新材料”4个重点专项2023年度项目申报指南的通知。 新型显示与战略性电子材料方面,2023年度指南部署围绕新型显示材料与器件、第三代半导体材料与器件、大功率...  [详内文]

SiC和GaN,战斗才刚刚开始

作者 |发布日期 2023 年 03 月 30 日 17:11 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
先进的半导体能否减少足够的温室气体排放,从而在遏制气候变化的斗争中发挥作用?答案是肯定的。这样的改变实际上正在有条不紊地进行着。 从2001年左右开始,化合物半导体氮化镓引发了一场照明革命,从某些方面来看,这是人类历史上最快的技术变革。根据国际能源署的一项研究,在短短二十年内,基...  [详内文]

砷化镓,何时反转?

作者 |发布日期 2023 年 03 月 30 日 17:06 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
如今,SiC与GaN成为化合物半导体的两大当红炸子鸡,受到新能源汽车与快充的带动,SiC和GaN都坐上了高速列车,而同为化合物半导体,砷化镓(GaAs)的境遇却有点惨。 代工厂进入寒冬 作为全球最大的GaAs代工厂,自2022年第一季度开始,稳懋的营收与净利润就出现了持续下滑。...  [详内文]

超8亿投资,这两个化合物半导体项目获新进展

作者 |发布日期 2023 年 03 月 28 日 17:15 | 分类 碳化硅SiC
近日,合盛硅业上海研发制造中心、山西华芯半导体产业基地项目(二期)传来新进展。 合盛硅业 合盛硅业上海研发制造中心在上海市嘉定区南翔动工。项目预计总投资2.5亿元,计划2024年底竣工。 据了解,项目位于南翔镇永乐片区JDC2-0501单元02-04地块,占地面积约1万平方米,拟...  [详内文]

盛美上海获SiC大订单

作者 |发布日期 2023 年 03 月 28 日 17:14 | 分类 碳化硅SiC
今日,盛美上海宣布首次获得Ultra C SiC 碳化硅衬底清洗设备的采购订单。 该平台还可配置盛美上海自主研发的空间交变相位移(SAPS)清洗技术,在不损伤器件的前提下实现更全面的清洗。该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商,预计将在2023年第三季度末发货。 盛美上海的该Ult...  [详内文]

总投资70亿、聚焦碳化硅等,博世苏州新能源汽车项目奠基

作者 |发布日期 2023 年 03 月 28 日 10:51 | 分类 碳化硅SiC
1月12日,博世与苏州工业园区管理委员会签署投资协议,并宣布在苏州投资建立博世新能源汽车核心部件及自动驾驶研发制造基地; 3月23日,博世公司顺利拿到在苏州工业园区投资新项目的施工许可证; 3月25日,博世新能源汽车核心部件及自动驾驶研发制造基地在苏州工业园区奠基。 博世新能源...  [详内文]

2023全球SiC功率半导体市场分析报告

作者 |发布日期 2023 年 03 月 28 日 10:49 | 分类 碳化硅SiC
一、概况 二、SiC衬底市场分析 -概况 -SiC衬底厂商分布 -SiC衬底成本结构分析 -SiC衬底技术发展趋势 -SiC衬底生产设备情况 -SiC衬底价格趋势 -SiC衬底尺寸趋势 -SiC衬底主要供应格局 -全球SiC衬底产能预测 -中国SiC衬底产线布局 -中国主要SiC...  [详内文]

会议推荐丨2023珠三角第三代半导体产业技术峰会

作者 |发布日期 2023 年 03 月 28 日 10:46 | 分类 碳化硅SiC
第三代半导体技术凭借高效率、高密度、小尺寸、低总成本等优势,为“碳中和”提供了关键技术支撑,已经被各个应用领域广泛采用,整个产业开始驶入快车道。目前,第三大半导体材料市场呈现出美日欧玩家领先的格局。相比之下,中国的第三代半导体产业稍显贫弱,在技术领先度、市场份额占比等方面较落后。...  [详内文]

中国第一,韩媒发布氧化镓有效专利持有量排名

作者 |发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分类 氮化镓GaN
据韩媒报道,日前,韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”,会上公布了氧化镓专利申请情况。 根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析,截至2021年9月共有1011件专利,其中中国拥有328件,...  [详内文]

科友半导体第三代半导体项目一期量产,二期开工

作者 |发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:17 | 分类 碳化硅SiC
据人民网消息,近日,哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司(以下简称“科友半导体”)开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势,而且将衬底成本降低一半以上。 科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶...  [详内文]