继6月18日,总投资120亿元的士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工后,又有两个SiC相关项目披露了最新进展。
长飞先进武汉基地正式封顶
6月19日,据长飞先进官微消息显示,年产36万片SiC晶圆的长飞先进武汉基地日前正式完成主体结构封顶。
source:长飞先进
据悉...  [详内文]
超200亿,长飞先进和晶能微电子SiC项目进度刷新 |
作者 chen, zac|发布日期 2024 年 06 月 19 日 18:00 | 分类 企业 |