19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房完成封顶。标志着湖南三安第三代半导体产业园项目(一期)Ⅰ标段主体工程完工，预计今年6月份有望实现全面投产。
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据悉，该栋厂房占地面积为2.32万平方米，建筑面积5.23万平方米，钢构大屋面面积1.65万平米。
此前，湖南三安半导体项目（一期）Ⅰ标段已相继完成M3器件封装厂房、M4碳化硅长晶厂房和溅镀厂房位主体结构封顶。
据了解，湖南三安半导体项目总占地面积1000亩，总投资160亿元，项目分两期建设，主要包含具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地的建设。
该项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。（来源：长沙晚报、LEDinside整理）
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