12月10日，恩智浦一纸关厂公告，叠加此前台积电的代工停摆，给火热的氮化镓赛道浇了一盆冷水。然而，这种“巨头离场”的表象之下，实则暗流涌动：英诺赛科在港交所敲钟上市并大幅扩产，全球功率霸主英飞凌砸下50亿欧元扩建马来西亚超级工厂，德州仪器（TI）试图用12英寸产线将成本杀至地板价，MACOM则吞下Wolfspeed的资产筑起军工堡垒。旧时代的帷幕刚刚落下，新巨头的角斗场才真正开启。
一、战略收缩：巨头的理性“止损”与资产优化
2025年下半年，两大行业巨头的动作揭示了资本对射频氮化镓市场的重新定价。
1、恩智浦：5G梦醒后的决断
近期，随着分析机构EJL Wireless Research在Linkedin上的一则爆料，#恩智浦 正式确认将关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的“Echo”晶圆厂，该厂定于2027年第一季度生产最后一批晶圆后谢幕。
“Echo”晶圆厂并非泛泛之辈，它是恩智浦于2020年9月高调投产的旗舰项目。彼时，恩智浦半导体执行副总裁兼总经理保罗·哈特（Paul Hart）曾对其寄予厚望，豪言该厂将于当年底达到满负荷生产。为此，恩智浦在2018至2020年间投入约1亿美元（超7亿人民币），专门打造6英寸GaN-on-SiC产线，意图主宰5G基站射频功率放大器（PA）市场。
然而，仅仅运行不到五年，该工厂便黯然落幕。财报数据揭示了背后的无奈：2024年，恩智浦“通信基础设施及其他”业务收入下滑近20%，不足17亿美元；进入2025年，前九个月收入同比进一步暴跌25%，仅余9.62亿美元。
严酷的现实表明，在复苏前景黯淡的射频市场空耗现金流已不合时宜。恩智浦选择向“Fab-Lite”（轻晶圆厂）模式转型，关闭老旧产线，将资源聚焦于核心的汽车电子与工业控制，或通过参与德国ESMC等合资项目获取更具成本优势的300mm产能。
2、台积电：AI浪潮下的“战略性断舍离”
作为晶圆代工霸主，#台积电 在2025年7月做出逐步退出GaN代工业务的决定，同样震动了业界。台积电明确表示，将在2027年中前完全停止GaN代工服务，并将原本负责该业务的新竹Fab 5厂逐步转型为先进封装（CoWoS）产能。
这一决策背后是极致的资源博弈。在AI芯片需求井喷的当下，先进制程与封装产能“寸土寸金”。虽然GaN业务稳步增长，但其基于6英寸晶圆的营收贡献与利润率，远无法与服务于英伟达（NVIDIA）等客户的12英寸AI产线相提并论。台积电的退出，实质上是先进逻辑制程对特色功率工艺的一次资源挤出。
此举迫使供应链迅速重构：格芯（GlobalFoundries）借机承接了溢出的商业与国防订单，利用美国《芯片与科学法案》资金强化本土制造；而力积电则利用其在存储制造中的成本控制经验，开发基于180nm节点的200mm GaN-on-Si工艺，成为了Fabless（无晶圆设计）厂商新的避风港。
二、阵痛与洗牌：Fabless模式迈入调整期
台积电的离场，将高度依赖代工服务的Fabless厂商推向了风口浪尖，其中纳微半导体（Navitas）的遭遇尤为典型。
受台积电业务调整影响，纳微被迫在2025年宣布将其主要晶圆代工方转移至力积电。在半导体行业，更换晶圆厂风险大、耗时长，涉及长达12-24个月的重新认证周期与良率爬坡风险，期间极易被竞争对手抢占市场份额。
供应链危机叠加业绩压力，引发了纳微管理层的剧烈动荡。联合创始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辞去高管职务。创始团队的集体淡出，标志着纳微“创业讲故事”时代的终结，公司被迫进入由职业经理人主导的“止血求生”阶段。
与此同时，美国独立IDM阵营在2024-2025年间也经历了剧烈整合。Wolfspeed为了全力押注碳化硅（SiC），以1.25亿美元的“白菜价”将射频GaN业务剥离给MACOM，以支撑其莫霍克谷工厂的巨额开支；曾被视为技术标杆的Transphorm则被日本瑞萨电子收购，标志着美国本土又失去了一家独立的GaN技术持有者。
三、西线反击：欧美IDM巨头的差异化进击
与代工业务的收缩相反，拥有垂直整合能力（IDM）的欧美巨头正在通过差异化路线疯狂扩张。
1、MACOM：吃下CHIPS法案红利的军工巨鳄
MACOM走了一条“去商业化”的军工高端路线。在收购Wolfspeed射频业务后，MACOM于今年1月宣布了高达3.45亿美元的五年投资计划，借助CHIPS法案资金，对其马萨诸塞州和北卡罗来纳州的工厂进行现代化改造，核心是将产线升级为6英寸GaN-on-SiC。
2、德州仪器（TI）：95%自造率的成本碾压
模拟芯片之王TI则试图用“硅的逻辑”重塑GaN市场。2024年底，TI在日本会津工厂量产GaN器件，产能瞬间翻了两番。更具威慑力的是，TI正在达拉斯总部利用12英寸产线进行GaN试点。一旦导入成功，其成本将呈指数级下降。TI明确提出2030年实现95%芯片内部制造的目标，意图通过超大规模制造压低边际成本，从而占领更大份额市场。
3、英飞凌（Infineon）：打造虚拟超级工厂
德国巨头#英飞凌 正在执行“One Virtual Fab（虚拟工厂）”战略，打通奥地利菲拉赫与马来西亚居林的产能。One Virtual Fab是一种先进的制造模式，旨在通过数字技术将不同地理位置的生产基地紧密连接，实现技术、流程和产能的协同优化，以提升效率和快速响应市场需求。
2025年，投资高达50亿欧元的居林第三工厂启动扩建，重点生产8英寸GaN和SiC晶圆。英飞凌正试图确立“硅+碳化硅+氮化镓”的全能霸权，在AI数据中心急需的钛金级电源市场构筑防线。
四、东线崛起：中国力量的全产业链突围
在中国市场，一条从设计到制造的全产业链正在快速发展，并展现出强大的市场穿透力。
1、英诺赛科：产能怪兽的资本首秀
作为全球最大的8英寸硅基氮化镓IDM厂商，#英诺赛科 被视为逼退台积电消费级业务的重要推手。2024年底至2025年初，英诺赛科成功登陆港股，募资约14亿港元。其招股书披露的计划显示，产能将从2024年的1.25万片/月狂飙至2029年的7万片/月。
基石投资者意法半导体（ST）的出现，更暗示了“欧洲设计+中国制造”的新联盟可能。2025年上半年，英诺赛科营收大涨43%并首次实现毛利转正，证明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持续的高额研发投入和产线折旧，公司在净利润层面仍处于亏损状态，这在IDM企业的扩张初期属于典型特征。
2、三安集成与芯联集成：车规与射频的双轮驱动
三安集成在射频与功率领域双线并进。其与意法半导体在重庆的合资工厂预计于2025年三季度量产8英寸SiC和GaN器件，精准卡位中国电动汽车市场。同时，其射频GaN业务在5G-A基站和低轨卫星领域保持了稳定的现金流。
前身为中芯集成的#芯联集成，则利用IGBT和SiC的车规经验，将“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系统代工”服务。其车规功率模块收入在2024年实现翻倍增长，成功实现EBITDA转正，成为汽车Tier 1厂商的重要合作伙伴。
此外，润新微凭借D-Mode技术实现差异化发展，新微半导体在硅光与射频SOI领域进行工艺孵化，氮矽科技在驱动芯片设计上取得突破，他们共同构成了中国GaN产业丰富而坚韧的生态底色。
五、结语：产业逻辑的深刻嬗变
纵观2025年的产业全景，我们可以提炼出驱动市场变革的三大底层逻辑。
首先，射频与功率彻底分道扬镳。NXP和Wolfspeed退出的皆是射频GaN，而英飞凌、TI与英诺赛科争夺的则是功率GaN。前者回归军工与特种应用，后者则在AI与汽车浪潮中迎来爆发。
其次，IDM模式加冕，Fabless日渐式微。台积电的退出与纳微的危机证明，在第三代半导体领域，器件性能高度依赖材料与工艺的耦合。无法掌控生产流程的Fabless模式，在成本与良率上难以与IDM抗衡。
最后，供应链逻辑正在深刻重构。在追求自主可控与供应稳定的趋势下，氮化镓产业正从单一的市场竞争，转向以区域化布局为特征的深度深耕。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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