近日，浙江省经济和信息化厅正式发布《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》（以下简称《规划》），面向社会公开征求意见。
《规划》明确将氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料列为新一代半导体领域重点发展方向，与3-7nm晶圆制程突破、先进半导体设备研发等任务协同推进，旨在构建具有全球竞争力的半导体产业生态，为建设全球先进制造业基地提供核心支撑。
《规划》提出，到2030年浙江省集成电路产业营收目标将达4500亿元，而氧化镓、金刚石等第四代半导体与碳化硅、氮化镓第三代半导体的协同发展，将成为实现这一目标的重要增长极。
宽禁带半导体材料凭借独特性能构建起差异化竞争优势。其中，碳化硅与氮化镓作为第三代半导体的核心品类，已在新能源汽车、光伏储能等领域实现规模化应用突破；氧化镓、金刚石则作为第四代超宽禁带半导体代表，具备更高击穿场强、更优热导率等特性，在特高压输电、高端芯片散热等高端场景拥有广阔前景。
目前，浙江已集聚士兰微电子、晶盛机电、镓仁半导体等一批领先企业。在碳化硅领域，士兰微电子投资120亿元建设的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线于2026年1月正式通线，达产后将形成年产72万片芯片的产能，为新能源汽车等领域提供核心器件保障。
（集邦化合物半导体整理）
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