当前，AI推理、智能体工作流与加速计算推动数据中心向AI工厂转型，供电系统成为影响AI基础设施性能、效率、密度与总拥有成本的关键因素。英诺赛科作为NVIDIA MGX生态系统成员，推出全GaN电源转换技术方案，为800 VDC至GPU核心电压的全链路供电提供支撑，助力高密度AI系统发展。
NVIDIA MGX是面向AI工厂的开放式模块化参考架构，可帮助系统厂商降低研发成本、加快产品落地。随着AI机架功率不断提升，从高压直流到GPU核心供电的高效、小型化转换成为行业难题。NVIDIA 800 VDC电源架构可减少转换级数，提升供电密度，但需要适配高频、高效、高转换比的功率器件。
GaN凭借低导通电阻、低栅极电荷、低寄生电容与零反向恢复特性，可实现更高开关频率、更低损耗与更紧凑的电源设计，成为AI供电的关键技术。英诺赛科基于硅基GaN平台，打造覆盖800 VDC到GPU核心电压的全链路解决方案，在多级转换中实现效率与密度提升。
图1. 从800 VDC到GPU核心电压的转换级，以及英诺赛科全GaN解决方案
在前端转换环节，英诺赛科全GaN LLC方案可实现12 kW、800V至48V转换，原边采用650V GaN8×8双面散热器件，副边采用100V GaN 5×6双面散热器件，峰值效率约99%，满载效率98.2%，可在1 MHz高频下运行。新款150V GaN器件可将副边同步整流器件数量减少50%。同时，该方案可扩展至800V至12V、800V至6V转换，满足不同架构需求。其中800V至12V采用40V GaN器件，提供5×6与3.3×3.3mm双面散热封装；800V至6V采用15V GaN器件，适配更低总线架构。
图2. 英诺赛科800V至48V演示
在48V至12V中间总线转换级，英诺赛科100V GaN方案优化多相降压转换，提升功率密度与效率，降低大规模部署中的冷却与运营成本，是MGX架构AI服务器的重要组成部分。
图3. 英诺赛科100V GaN带来的功率密度提升
在GPU核心供电环节，英诺赛科15V GaN器件可支持3MHz至5MHz运行，缩小磁性元件与电容体积。公司正在开发双通道DrGaN方案，适配垂直供电架构，缩短电流路径、降低寄生损耗，提升GPU动态瞬态响应能力，满足高电流密度需求。
为方便客户应用，英诺赛科提供完整评估板与参考设计，包括12kW 800V至48V演示板、48V至12V四相GaN评估板，以及面向垂直供电的6V DrGaN评估板。产品覆盖650V、150V、100V、40V、15V等电压等级，封装形式适配不同应用场景。
英诺赛科表示，未来将持续与NVIDIA MGX生态协同，完善全GaN供电方案，以更高效率、更高密度的电源技术，支撑下一代AI工厂规模化部署，推动AI基础设施供电体系持续升级。
（集邦化合物半导体整理）
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