最新文章

SiC开启800V新时代，政企双端发力
作者 |发布日期 2023 年 12 月 15 日 20:36 | 分类 功率
12月14日，全球领先的车用技术企业采埃孚，宣布其电机产量已突破300万台大关。 采埃孚称，电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少，标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技术的EVSys800电驱动系统，展...  [详内文]

CEA-Leti开发兼容CMOS的8英寸GaN-on-Si射频工艺
作者 |发布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分类 射频
据报道，近日，CEA Tech下属研究所Leti已开发出一种与CMOS无尘室兼容的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺技术，既能保持半导体材料的高性能，成本又低于现有的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术。 该研究所在IEDM 2023会议的一场演讲中表示，目前用于电...  [详内文]

PI、南瑞半导体透露SiC MOS项目新进展
作者 |发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分类 企业
因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。就SiC MOSFET领域来看，又有两家企业有了新动态。 Powe...  [详内文]

SiC材料厂超芯星、东映碳材完成新一轮融资
作者 |发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分类 企业
近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。 超芯星完成数亿元C轮融资 今日（12月14日），超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮...  [详内文]

中电材料子公司第一枚SiC外延片正式下线
作者 |发布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分类 企业
12月13日，中电科半导体材料有限公司（下文简称“中电材料”）官微发文称，近日，中电材料下属国盛电子大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生，标志着中电材料SiC产业化建设迎来了新阶段。 国盛电子表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客...  [详内文]

科友半导体8英寸SiC衬底项目通过中期验收
作者 |发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:45 | 分类 企业
12月10日上午，科友半导体承担的“8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会在哈尔滨市松北区召开。评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸SiC单晶生长的新技术和新工艺，建立了SiC衬底生产的工艺流程，...  [详内文]

晶圆代工厂BAE Systems获得3500万美元资助
作者 |发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:42 | 分类 企业
12月11日，美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的初始资金，用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子中心 (MEC) 进行现代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、经美国防部 (DoD) 认证的芯片制造工厂，是美国境内唯一以国防...  [详内文]

英特尔展示GaN新技术
作者 |发布日期 2023 年 12 月 13 日 17:41 | 分类 企业
在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。 具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项目开发。 Comp...  [详内文]

芯联集成、中瓷电子SiC MOSFET取得新进展
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:46 | 分类 企业
由于SiC MOSFET相对于传统的Si MOSFET有很多优势，因此被广泛应用于电动汽车、光储充、轨道交通等领域，发展潜力较大，各大半导体厂商正在发力SiC MOSFET相关业务。近日，又有两家企业SiC MOSFET相关产品获得新进展。 芯联集成车规级SiC MOSFET已量...  [详内文]

易达通GaN功率元件能源转换效率已超92%
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分类 功率
近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。 据...  [详内文]