“中国科学院微电子研究所”官微消息,中国科学院微电子研究所联合中国科学院半导体研究所、北京大学、香港科技大学、剑桥大学、武汉大学和苏州能讯高能半导体有限公司等,首次澄清了GaN异质外延中螺位错和刃位错对GaN基功率电子器件的关键可靠性-动态导通电阻退化的影...  [详内文]
国内氮化镓技术迎来新突破 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 07 月 23 日 16:16 | 分类 氮化镓GaN |