近日，三菱电机官方宣布，将于1月21日起正式出货四款全新沟槽型SiC MOSFET功率半导体裸片样品，产品聚焦电动汽车主驱逆变器、车载充电器及可再生能源供电系统等核心场景，凭借结构优化实现功率损耗较平面型产品降低50%的性能突破，进一步完善其SiC功率器件产品线布局。
图片来源：三菱电机官网新闻稿
相关产品将于1月21-23日在东京第40届Nepcon Japan R&D and Manufacturing展首次公开亮相，并计划在北美、欧洲、中国、印度等核心市场展会持续展出。
作为第三代半导体材料的核心应用方向，SiC MOSFET凭借耐高温、低损耗、高效率的特性，已成为新能源汽车及可再生能源领域的关键器件。
三菱电机自2010年起布局SiC功率半导体模块业务，产品广泛应用于空调、工业设备及铁路车辆逆变系统，此次推出的沟槽型裸片则是对其现有技术体系的重要升级。据官方资料显示，四款新品均采用750V额定电压设计，导通电阻覆盖20mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ四个档位，型号分别为WF0020P-0750AA、WF0040P-0750AA、WF0060P-0750AA及WF0080P-0750AA，可满足不同功率等级器件的封装需求。
据悉，在封装适配性与环保性方面，新品表面电极支持焊接连接，背电极兼容焊接键合与银烧结键合两种工艺，为下游厂商提供灵活的封装解决方案，可广泛集成于各类功率器件中。产品严格符合RoHS指令（2011/65/EU，(EU) 2015/863）要求，在性能提升的同时实现绿色环保设计，契合全球新能源产业的发展趋势。
（集邦化合物半导体整理）
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