射频氮化镓企业Gallium Semiconductor在菲律宾设厂

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 14 日 16:29 | 分类射频

日前，新加坡GaN氮化镓射频半导体解决方案供应商Gallium Semiconductor宣布已在菲律宾建设了制造工厂，并于2月3日举行了开业仪式。 Gallium Semiconductor专注于为5G移动通讯网络、航空航天、国防、工业、科学及医疗等领域设计、开发与量产高性... [详内文]

国产射频，格局初定

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 14 日 16:27 | 分类射频

2023年是国产射频前端芯片格局初定的一年，各个细分赛道都将迎来上市公司。老虎金钱豹，各走各的道。国产射频前端的各个细分赛道，都会有自己的标杆企业，自己的龙头企业，自己的企业阵营。这种格局，将维持至少十年之久，原因在于术业有专攻，在于宁为鸡头不为凤尾，在于中国射频公司的负责人需... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 14 日 16:12 | 分类射频

近日，国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批。 “宽带射频功率放大器”项目基于第三代半导体GaN开展超宽带射频功率管的设计与制造研究，计划研究一套宽频带射频功率放大器，实现宽带射频功放在超高场磁共振的工程应用，为... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分类光电

在大型显示器与穿戴装置应用量产的带动下，TrendForce集邦咨询预估，2023年Micro LED芯片的产值将达2,700万美元，年成长92%。而在现有应用出货规模放大，以及新应用陆续加入的刺激下，预估2027年Micro LED芯片产值约5.8亿美元，2022~2027年... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分类光电

近日，鼎镓半导体宣布了其基于第三代半导体的大功率深紫外LED芯片的研发项目进入2023年度浙江南湖区科技计划重点项目名单。官方消息显示，鼎镓半导体是一家以第三代半导体外延片制备、芯片设计及相关应用产品研发为主的研发先导性科技企业，主要产品是以第三代半导体材料为主的GaN紫外光... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分类光电

8月1日，Coherent宣布传感器用VCSEL发射器出货量已超2000亿颗。 Coherent的主营产品包括激光器、光学器件、材料（含SiC衬底与外延、SiC功率器件及模块）三大类。针对传感器应用，Coherent提供近红外/短波红外/中波红外半导体激光二极管、光电二极管、衍射... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 10 日 17:26 | 分类功率

近日，日本化工企业旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生产出了首款4英寸氮化铝（ALN）衬底，展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性，以满足各类应用的生产需求。 Crystal IS 据了解，氮化铝衬底具有低缺陷密度、高紫外... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 10 日 17:25 | 分类功率

SiC，一颗在功率半导体领域中冉冉升起的新星。如今我们提起它，就离不开特斯拉和意法半导体，第一个吃螃蟹的特斯拉用SiC MOSFET敲开了新世界的大门，而意法的SiC也因为特斯拉Model 3这股东风扶摇直上，超越英飞凌成为了SiC领域里说一不二的新霸主。特斯拉凭借Model... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 10 日 17:22 | 分类功率

近日，九峰山实验室6英寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分类功率

英诺赛科宣布推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。英诺赛科此前，英诺赛科已相继发布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W... [详内文]