2023全球SiC功率半导体市场分析报告

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 28 日 10:49 | 分类 碳化硅SiC | edit

一、概况 二、SiC衬底市场分析 -概况 -SiC衬底厂商分布 -SiC衬底成本结构分析 -SiC衬底技术发展趋势 -SiC衬底生产设备情况 -SiC衬底价格趋势 -SiC衬底尺寸趋势 -SiC衬底主要供应格局 -全球SiC衬底产能预测 -中国SiC衬底产线布局 -中国主要SiC...  [详内文]

会议推荐丨2023珠三角第三代半导体产业技术峰会

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 28 日 10:46 | 分类 碳化硅SiC | edit

第三代半导体技术凭借高效率、高密度、小尺寸、低总成本等优势，为“碳中和”提供了关键技术支撑，已经被各个应用领域广泛采用，整个产业开始驶入快车道。目前，第三大半导体材料市场呈现出美日欧玩家领先的格局。相比之下，中国的第三代半导体产业稍显贫弱，在技术领先度、市场份额占比等方面较落后。...  [详内文]

中国第一，韩媒发布氧化镓有效专利持有量排名

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分类 氮化镓GaN | edit

据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。 根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，...  [详内文]

科友半导体第三代半导体项目一期量产，二期开工

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:17 | 分类 碳化硅SiC | edit

据人民网消息，近日，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势，而且将衬底成本降低一半以上。 科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶...  [详内文]

国内首条GaN激光器芯片量产线投产

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:12 | 分类 氮化镓GaN | edit

3月22日，广西飓芯科技有限责任公司（以下简称：飓芯科技）GaN半导体激光器芯片量产线在柳州市北部生态新区举行投产仪式。 飓芯科技成立于2020年，是北京飓芯的全资子公司，主要从事科技推广和应用服务业，经营范围覆盖集成电路、半导体分立器件、显示器件、半导体照明等多个领域，具体包...  [详内文]

爱科思达第三代半导体设备项目落地

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 24 日 17:35 | 分类 碳化硅SiC | edit

3月15日，火炬工业集团与深圳爱科思达科技有限公司（以下简称“爱科思达”）在举行“智能电源设备研发制造基地项目”签约仪式。 图片来源：中山火炬工业集团 据悉，爱科思达建设打造的智能电源设备研发制造基地项目，拟投资8亿元，达产后预计新增产值超10亿元，税收超5000万元。项目建成...  [详内文]

深圳宝安：锚定第三代半导体等产业，2025年产值破1200亿元

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 24 日 17:35 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

近日，深圳宝安发布了《宝安区培育发展半导体与集成电路产业集群实施方案（2023—2025年）》（以下简称《方案》），明确提出到2025年，构筑具有全球影响力的车规级、人工智能、穿戴芯片产业创新集聚高地，实现产值突破1200亿元，增加值突破280亿元，培育5家以上产值超20亿元的企...  [详内文]

本月量产！SK旗下Yes PowerSiC产能增3倍

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 03 月 23 日 17:35 | 分类 碳化硅SiC | edit

据韩媒报道，SK集团旗下Yes Power Technix（以下简称：Yes Power）在釜山的SiC碳化硅功率半导体工厂预计本月开始正式量产，SiC功率器件产能将扩充近3倍。 据化合物半导体市场了解，2021年2月，SK集团控股公司SK Holding宣布拟以268亿韩元收购...  [详内文]

英诺赛科发布两款40V VGaN新品，均采用WLCSP封装

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 23 日 17:05 | 分类 氮化镓GaN | edit

在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳...  [详内文]

为三安、东尼电子等提供设备，晶升装备即将登陆科创板

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 03 月 23 日 16:11 | 分类 碳化硅SiC | edit

3月22日，证监会发布了关于同意南京晶升装备股份有限公司（以下简称：晶升装备）首次公开发行股票注册的批复，同意晶升装备科创板IPO注册。 据悉，晶升装备基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料...  [详内文]