SiC这几年的发展速度几乎超出了所有人的意料。最近几年,在各家SiC厂商的努力下,SiC MOSFET器件已经有了大幅的改进,制造方法和缺陷筛查也有了一定的进步。SiC的商用化和上车之路已经明显加速。
在SiC MOSFET的技术路线之争上,一直有平面栅和沟槽栅两种不同的结构类型...  [详内文]
中国SiC,“挖坑”了吗? |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 04 月 27 日 17:04 | 分类 碳化硅SiC |