为应对电动车、AI数据中心及绿能基础设施对高效率电力转换的需求,化合物半导体晶圆代工厂汉磊9月21日宣布推出第五代碳化硅(SiC)DMOS技术平台。该平台通过通道工程与元件结构微缩,使导通损耗较前代降低12%,整体器件效能提升约15%。目前,1200V产品晶圆测试良率已突破90%...  [详内文]
汉磊第五代SiC技术亮相 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 09 月 22 日 14:12 | 分类 碳化硅SiC |
