相关资讯：氧化镓

富加镓业推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品
作者 |发布日期 2025 年 10 月 20 日 13:46 | 分类 企业 , 氧化镓
近期，富加镓业正式推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品，涵盖小片及2英寸标准规格，并全面开放4英寸衬底与2-4英寸外延片定制服务。 图片来源：杭州富加镓业科技有限公司 富加镓业成立于2019年，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(E...  [详内文]

镓仁半导体实现6英寸氧化镓同质外延生长
作者 |发布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分类 氧化镓
近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布在氧化镓同质外延技术上取得重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。 此次镓仁半导体 的6英寸氧化镓同质外延片表现优异。外延层厚度超过10微米，厚度均匀性优异，方差σ小于1%。高分辨XRD摇摆曲线半高宽小于40弧...  [详内文]

国内第四代半导体氧化镓技术取得重大进展
作者 |发布日期 2025 年 09 月 16 日 14:19 | 分类 产业 , 氧化镓
氧化镓作为极具潜力的第四代半导体材料，能承受超高电压、成本低，在电动汽车、轨道交通、5G/6G基站、智能电网、航空航天等系统中应用广泛，被誉为下一代高功率电子器件的“明星材料”。不过，作为新兴材料，氧化镓应用仍有诸多技术瓶颈待克服。 近期，国内氧化镓领域频频传出重大进展。 富加镓...  [详内文]

国际领先，国内8英寸氧化镓衬底秀最新成绩单
作者 |发布日期 2025 年 09 月 04 日 14:09 | 分类 氧化镓
9月3日，“镓仁半导体”官微透露，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底今年7月通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。 深圳平湖实验室检测结果显示，本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果：22~26 a...  [详内文]

16.8亿元氧化镓项目迎新进展：预计8月入驻机电设备
作者 |发布日期 2025 年 07 月 25 日 15:06 | 分类 氧化镓
近日，据上杭融媒公众号消息，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目迎来新进展。 目前最新进展是该项目整个主体建筑已全部封顶；办公大楼、研发楼、宿舍正在进行内部精装修；主体厂房洁净车间班组已入驻；动力中心正在内部调试，预计8月可进行机...  [详内文]

封顶/投产，国内两个化合物半导体项目新进展
作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分类 企业 , 氧化镓 , 碳化硅SiC
从氮化镓（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽车中的规模化应用，化合物半导体正加速重构半导体产业的竞争格局，为5G通信、智能电网、工业电机驱动等领域注入新动能。随着市场对高性能、高能效半导体器件需求的激增，国内化合物半导体项目层出不穷。近期，两个相关项目传出新进展，...  [详内文]

氧化镓领域强强合作，国内厂商发力！
作者 |发布日期 2025 年 05 月 19 日 15:28 | 分类 企业 , 氧化镓
5月16日，中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能...  [详内文]

亚洲氧化镓技术迎新进展
作者 |发布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分类 企业 , 氧化镓
从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，正以其颠覆性的物理特性与成本优势，掀起一场新的半导体革命。 氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水...  [详内文]

全球首发！杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶
作者 |发布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分类 产业 , 企业
3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。据悉，这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业...  [详内文]