Tag Archives: 镓仁半导体

镓仁半导体推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底
作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分类 功率
4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体 据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器...  [详内文]

国内首个6英寸氧化镓衬底产业化公司诞生
作者 |发布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分类 企业
3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片...  [详内文]

专注于第四代半导体，镓仁半导体完成天使轮融资
作者 |发布日期 2023 年 04 月 04 日 15:05 | 分类 产业
根据蓝驰创投官方消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）近日正式完成数千万天使轮融资。该轮融资由蓝驰创投领投，禹泉资本跟投；融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。 据悉，氧化镓是一种无机化合物。作为第四代半导体的代表，氧化镓被视为“替代碳化硅和氮化...  [详内文]