据报道，近日，CEA Tech下属研究所Leti已开发出一种与CMOS无尘室兼容的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺技术，既能保持半导体材料的高性能，成本又低于现有的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术。
该研究所在IEDM 2023会议的一场演讲中表示，目前用于电... [详内文]
CEA-Leti开发兼容CMOS的8英寸GaN-on-Si射频工艺 |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分类 射频 |