杭州富加镓业科技有限公司通过官方微信发布消息，企业推出的(011)面氧化镓单晶衬底现已形成稳定批量交付能力，产品可持续供给海内外科研机构与半导体器件企业，补齐国内氧化镓多晶面衬底规模化供给短板。
官方稿件披露，本次批量供货的主力规格为2英寸(011)面氧化镓衬底，同步开放小片规格现货供应，同时支持4英寸衬底、2至4英寸氧化镓外延片定制化订单。配套产品规格参数形成标准化体系，衬底厚度、翘曲度、表面粗糙度、位错密度等指标均完成量产级工艺管控，适配高压功率器件、射频芯片、紫外探测器件等不同研发与中试场景需求。
依托自研晶体生长与精密抛光整套工艺，该款衬底解决了(011)晶面氧化镓晶体易开裂、表面加工一致性差等量产难点。此前第三方实验室完成材料性能检测，衬底晶体完整性、电学均匀性达到国际同类产品水准，已收到多家国内重点实验室、功率半导体企业的稳定采购订单。
公开资料显示，富加镓业2019年底落地杭州富阳，是国内最早布局氧化镓产业化的企业，依托中科院上海光机所技术成果开展超宽禁带半导体材料研发生产，主营氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE同质外延片、VB法与EFG法晶体生长装备。企业建成国内首条万片级氧化镓衬底产线，产品覆盖2英寸至12英寸多尺寸、多晶向衬底，拥有近50项国内外授权专利，目前牵头编制氧化镓领域首项国家标准，通过ISO9001质量体系认证。
产能与技术迭代层面，企业2026年持续推进大尺寸晶体突破，3月对外公布完成全球首款12英寸氧化镓单晶制备；同期自研VB法长晶装备完成多家客户现场验收，实现氧化镓长晶设备国产化对外供货。产品线已覆盖26款常规衬底产品，可根据客户需求定制导电型、半绝缘型衬底及配套外延工艺方案。
产业链配套方面，富加镓业同步搭建衬底-外延一体化交付体系，自主掌握低缺陷同质外延技术。此前其自研外延片已支撑九峰山实验室研发出击穿电压超9000V的氧化镓MOSFET，刷新全球器件耐压纪录。本次(011)面衬底批量交付，进一步丰富企业产品矩阵，拓宽国内氧化镓上游材料供给选择。
（集邦化合物半导体整理）
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