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Wolfspeed 发布两款全新1200V碳化硅模块
作者 |发布日期 2025 年 11 月 19 日 14:33 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向电动汽车（EV）牵引逆变系统推出两大全新1200V碳化硅功率模块系列。这两大系列均搭载Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技术和创新封装工艺，旨在提供前所未有的系统耐久性、效率与设计灵活性，为电动汽车的性能和可靠性树立...  [详内文]

这家氧化镓公司落户晋江并完成天使轮融资
作者 |发布日期 2025 年 11 月 19 日 14:28 | 分类 氧化镓
随着高功率器件性能需求的持续提升，氧化镓凭借超宽禁带、高击穿电场等优势，被视为理想的第四代功率半导体材料，吸引国内厂商不断布局，近期氧化镓领域再次传出新动态。 “晋江产经报道”官微消息，近日，晋江西安离岸创新中心孵化出的第一个产业化项目，专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓科...  [详内文]

12英寸氮化镓再传新进展
作者 |发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分类 氮化镓GaN
近期，信越化学宣布，比利时微电子研究中心（imec）利用QST衬底[一种300mm氮化镓(GaN)生长衬底]制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构，实现了超过650V的高击穿电压。 资料显示，QST衬底是由美国公司Qromis开发的专用于GaN生长的复合材料衬底。信越化学于20...  [详内文]

三家企业推进 GaN/SiC 技术新进展
作者 |发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半导体行业迎来重要技术进展，英飞凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企业分别在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)领域取得新进展。 01、英飞凌推出首款100V车规级GaN晶体管 11月6日，英飞凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车...  [详内文]

芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台
作者 |发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC
11月16日，芯联集成宣布正式发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。 据介绍，该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及...  [详内文]

第三代半导体产业新突破：扬杰科技、南通三责发力
作者 |发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:30 | 分类 化合物半导体
全球半导体产业竞争日益激烈，第三代半导体产业凭借其独特的性能优势，成为各国竞相布局的关键领域。我国第三代半导体产业也在加速崛起，近期，扬杰科技与南通三责在第三代半导体相关领域取得重大进展。 1、扬杰科技斩获权威机构芯片国产化认证 近期，中国质量认证中心（CQC）为扬杰科技颁发全国...  [详内文]

两条半导体行业高端生产线在沈阳投产
作者 |发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:22 | 分类 半导体产业
近日，沈阳经开区落地两条半导体高端零部件产线。辽宁汉京半导体产业基地宣布，国内首条“半导体碳化硅零部件生产线”和国内首条“10nm级极高纯石英生产线”已在沈阳经济技术开发区正式投产。 图片来源：辽宁省人民政府网 其中，备受关注的“半导体碳化硅零部件生产线”是辽宁汉京历时三年自主...  [详内文]

涉及三安光电、天岳先进等厂商，中国第三代半导体技术十大进展出炉
作者 |发布日期 2025 年 11 月 14 日 18:01 | 分类 化合物半导体
近期，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛召开，会议现场揭晓“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”入选结果。 “全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”、“万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术”、“基于氮化镓Micro-LED的高速...  [详内文]