天岳先进10亿碳化硅项目获批

作者 | 发布日期 2025 年 07 月 04 日 14:26 | 分类 企业 , 碳化硅SiC

6月30日,济南市生态环境局发布了山东天岳先科技股份有限公司碳化硅材料产业项目(一期)的获批公示。

图片来源:公示截图

公开资料显示,该项目位于山东省济南市槐荫经济开发区,占地约153亩,总投资10亿元,环保投资600万元。项目将购置碳化硅晶体生长炉、切割机、研磨机等设备,开展8英寸碳化硅材料关键技术研发,并建成相应的制备生产线。项目投产后,预计年产100,000片导电型碳化硅晶片及48.5吨碳化硅单晶。

天岳先进作为中国碳化硅衬底领域的领军企业,近年来在技术创新、产能扩张及国际化布局方面取得了显著进展。

今年4月启动的济南8英寸碳化硅衬底项目,采用液相法制备技术,优化了晶体生长界面与应力控制,良率较传统气相法提升30%以上,单位成本下降约40%。目前,公司的8英寸衬底已通过英飞凌车载级认证,并进入梅赛德斯-奔驰800V高压平台供应链,首期订单金额达2.3亿元。公司正推进第二阶段产能提升,目标将总产能扩至60万片/年,重点布局8英寸和12英寸衬底的规模化生产。

财务方面,天岳先进2024年营业收入17.68亿元,同比大幅增长41.37%,归属于上市公司股东的净利润达1.79亿元,成功扭亏为盈。这一业绩增长得益于碳化硅半导体材料在下游新能源汽车、光伏、AI等应用领域的加速渗透,使得碳化硅半导体整体市场规模不断扩大。进入2025年,一季度公司实现营收4.1亿元。尽管一季度国内外宏观环境复杂,拖累终端需求复苏,碳化硅半导体行业增长趋势受到阶段性影响,产品价格有所下降,但公司产品出货量增长,市场份额稳步提升。

随着新能源汽车、光伏储能等行业的快速发展,碳化硅作为第三代半导体材料,因其高禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和电子漂移速率和高热导率等特性,成为提升电力转换效率、实现系统小型化和轻量化的关键材料。天岳先进的技术突破与产能扩张,将有力推动碳化硅在相关领域的广泛应用,助力产业升级与绿色发展。

 

(集邦化合物半导体 niko 整理)

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