英诺赛科（Innoscience）正通过产能拓展、技术创新及战略合作强化，持续巩固其市场地位。公司计划在未来五年内显著提升晶圆产能，同时推出新一代产品平台并积极布局车规级、AI服务器等高增长应用市场。
产能布局与技术路线：聚焦8英寸，展望12英寸
英诺赛科正加速其8英寸氮化镓晶圆产能的扩张。公司计划将当前每月13000片的产能提升至2025年底的20000片。长远目标是未来五年内将月产能进一步扩大至70000片。这一增长得益于其8英寸晶圆制造工艺的持续成熟与超过95%的良率。
全球氮化镓产业正经历一场技术路线的深度博弈。近期，台积电宣布计划在两年内退出GaN晶圆代工业务，其主要原因可能在于GaN代工模式的投资回报率不如预期，且市场竞争激烈，公司内容调整聚焦先进制程等。与此同时，英飞凌则高调推进12英寸GaN晶圆样品，并预计在2025年第四季度向客户提供首批样品，试图通过大尺寸晶圆实现成本优势和产能扩张，这无疑引发了行业对未来主流技术路线的激烈讨论。
面对这种分歧，英诺赛科坚定推行其IDM（设计-制造-封测一体化）模式，并把战略重心明确放在8英寸GaN产线的工程化成熟度上。公司高层判断，尽管12英寸晶圆理论上可带来更高的芯片产出，但其大规模商业化仍面临核心挑战，尤其是MOCVD设备（金属有机化合物气相沉积设备）的成熟度不足，尚无公开的12英寸GaN外延解决方案。
英诺赛科预计，12英寸GaN的产业化最早要到2030年才能进入大规模商业化阶段。在此之前，公司将致力于最大化8英寸平台的规模效应和成本优势，持续提升良率并扩大产能，以满足当前及未来几年市场对高性能、高可靠性氮化镓器件的旺盛需求。
产品与技术创新：700V平台发布，多领域技术突破
近期，英诺赛科发布了基于700V SolidGaN平台的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。这些产品采用TOLL/TOLT主流大功率封装，旨在实现对现有硅/SiC控制器生态的“无感替换”。其核心优势体现在兼容性、性能表现和应用效益三个方面。
图片来源：英诺赛科
在兼容性上，新品支持10–24V宽栅压驱动，兼容SiC/IGBT控制器，具备引脚兼容设计，并集成了LDO栅极钳位，有效消除了Vgs过冲风险。
图片来源：英诺赛科
性能表现方面，新品提供100V/ns dv/dt保护、0.5Ω米勒钳位，零反向恢复电荷（Qrr=0）使得开关损耗降低40%，并拥有超低热阻（最低0.46℃/W）。
在应用效益方面，新品在1–6kW服务器、空调、工业电源等大功率应用中，可提升效率1–2%，功率密度提高50%。与650kHz SiC方案相比，这些新器件的开关频率可推高至2MHz，系统元件数量可减少60%。
近期，英诺赛科董事长骆薇薇与CEO吴金刚在苏州总部接受《科创板日报》专访时透露，公司正在三大方向加速迭代，公司车规级高压双向导通GaN器件已完成送样并获得客户积极反馈，有望成为新能源汽车OBC、DC-DC及激光雷达电源的核心部件。另外，面向AI服务器/GPU供电的低压高频平台目标开关频率达8–10MHz，旨在通过显著缩减磁性元件体积，满足下一代机柜对极致功率密度的需求。同时，100V半桥合封芯片已批量导入数据中心48V转12V模块、机器人伺服电机等应用场景，助力系统效率提升1–2%，功率密度提高50%。
港股上市与战略合作助推高增长
英诺赛科已于2024年12月30日在香港联合交易所主板上市，成为全球首家实现8英寸GaN晶圆大规模量产的IDM上市公司。
在战略合作方面，意法半导体（ST）于6月30日将其所持英诺赛科H股禁售期延长一年至2026年6月29日。此举体现了ST作为英诺赛科IPO阶段重要基石投资者对其长期价值的认可。该行动也支持双方正在执行的联合开发与制造协议，该协议旨在利用ST的海外晶圆厂拓展全球产能，同时ST可借助英诺赛科珠海、苏州两大基地的8英寸GaN产线，实现其在中国市场的本土化制造。
从市场需求来看，英诺赛科2024年财报数据显示，新能源汽车和AI数据中心领域订单增长显著：车规芯片交付量同比增长986.7%，AI及数据中心芯片交付量同比增长669.8%。这表明氮化镓在高功率、高可靠性应用场景中的渗透已进入快速增长阶段。
英诺赛科凭借其完整的产业链布局和在关键应用领域的突破，正为达成其未来五年7万片月产能的目标奠定坚实的技术与市场基础。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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