近日，广东致能半导体官微宣布，于2025年11月携手国际知名8英寸Fab完成全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。
图片来源：广东致能半导体官微
据介绍，致能半导体通过导入行业领先的制造工艺及创新的技术平台，产品在芯片尺寸、生产成本、电学性能、制造一致性等核心指标方面均较竞争技术展现出全面的领先优势。
资料显示，致能半导体成立于2018年，是国内第三代半导体氮化镓领域的高新技术企业，专注于氮化镓功率器件的研发与产业化。致能半导体核心业务聚焦硅基氮化镓芯片及其共封装器件的研发、生产与销售，具备完整IDM能力。公司拥有TO247、TOLL、PQFN56等多种封装类型的氮化镓功率器件，已完成硅基氮化镓高功率大电压常开平面元器件研发并交付客户。
今年7月，公司CEO黎子兰博士在瑞典举办的#国际氮化物半导体会议（ICNS）上，首次公布硅基垂直GaN HEMT功率器件技术。该技术实现了硅衬底上垂直GaN/AlGaN结构生长和二维电子气沟道构建，还做出全球首个垂直常开、常关两种类型器件，其中常关器件阈值电压最高可达4V以上，凭借原创性贡献获得会议广泛关注与高度评价。
融资方面，广东致能半导体目前已完成多轮融资，从早期种子轮逐步推进至C轮，投资方涵盖知名VC资本、产业基金及头部企业创投等。
今年1月广东致能半导体完成C轮融资，投资方包括高榕资本、博世创投、深创投等。此次融资正值公司推进氮化镓器件量产的关键阶段，资本的注入为其提升产能、强化供应链体系提供了有力支撑。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。