近日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）宣布完成450~2300V宽电压范围碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台开发，同时斩获一家SiC设计客户的1200V高压产品开发订单，标志着其正式全面布局SiC化合物半导体代工业务。
该工艺平台支持450V至2300V宽电压覆盖，在高压环境下验证了高可靠性与稳定性，核心制程精准优化后良率超90%，可兼顾效率与产能。企业提供差异化定制化工艺支持，能根据客户需求微调电气特性与规格，适配多元场景。
根据规划，1200V产品开发已启动，将应用于客户工业设备的热效率管理，经样片评估与可靠性验证后，预计2027年上半年量产。
SK启方半导体是一家8英寸晶圆代工厂，于2020年9月从Magnachip Semiconductor分拆出来，并于2022年8月成为SK海力士的子公司。SK Powertech前身则为Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收购，以其在设计和制造碳化硅（SiC）功率半导体方面的专业知识而闻名。
去年3月，SK启方半导体宣布，已成功达成从SK集团收购其子公司SK Powertech98.59%股权的协议，交易金额高达250亿韩元。收购后，SK启方半导体将进一步推动SiC技术在新能源汽车、储能等领域的应用落地。
随后的11月，SK启方半导体公布SiC业务规划：2025年底完成1200V工艺开发，2026年上半年启动代工服务，将业务聚焦电动汽车电驱、工业电源、可再生能源逆变器等高压高效场景。
此次SiC工艺平台是其收购同集团SiC专业公司SK powertech后，整合双方核心能力的首个成果，实现技术与资源协同，加速商业化落地。
SK启方半导体的首席执行官Derek D. Lee表示：”SiC平面MOSFET工艺平台的开发，标志着SK keyfoundry已在全球化合物半导体市场确立了独立的技术领导地位。依托我们兼具高良率与高可靠性的差异化工艺，我们将持续拓展高压功率半导体解决方案，以满足国内外客户的需求。”
（集邦化合物半导体整理）
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