2026年4月27日，盛美半导体设备（上海）股份有限公司（简称“盛美上海”）正式宣布，公司自主研发的首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备成功完成组装调试并顺利出机，将用于55纳米及以下高端集成电路后段金属互联工艺。
图片来源：盛美上海
该设备为300毫米晶圆工艺量身定制，最高工艺温度达400摄氏度，配置四个晶圆装载口与三个独立工艺腔体，可实现高效晶圆传送与稳定工艺运行，兼顾高产能与精准制程控制。
其核心聚焦PECVD NDC（SiCN）工艺，主要应用于铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层等关键环节，是先进逻辑芯片与先进封装制造的核心设备之一。
随着芯片制程微缩至55纳米及以下，器件集成度持续提升，对薄膜沉积的颗粒控制、等离子体稳定性及界面层精度要求愈发严苛。
SiCN薄膜凭借高粘附性、高键合能及致密特性，不仅能有效抑制铜互联层氧化与扩散，保障芯片运行稳定性，还可适配先进封装中的晶圆级键合等场景，支撑更高密度器件架构的实现。
此外，该设备采用自主知识产权腔体设计、特殊气体分配装置与卡盘结构，可提供优异的薄膜均匀性、低应力及低颗粒表现，技术指标对标国际主流产品。
盛美上海表示，该设备在盛美上海临港实验室已验证满足工艺指标，现发往客户端进行最终验证。
值得关注的是，4月18日，盛美上海发布公告宣布公司正在筹划发行境外上市股份（H股）并在香港联合交易所有限公司挂牌上市。
截至目前，公司正与相关中介机构就本次H 股上市的具体推进工作进行商讨，相关细节尚未确定。本次H股上市不会导致公司控股股东和实际控制人发生变化。
（集邦化合物半导体整理）
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