近日，银河微电官微宣布推出SMAJ2005CA系列车规级双向非对称TVS二极管，专为碳化硅（SiC）MOSFET栅极保护设计，单器件即可实现一正一负精准钳位，解决传统方案适配性不足的问题。
当前新能源汽车、AI数据中心及工业电源市场快速发展，SiC器件凭借高频、高压、耐高温特性，应用持续普及。SiC MOSFET栅极氧化层脆弱，正负耐压不对称，正压耐受超+20V，负压仅-5V至-10V。开关过程中，母线寄生电感易引发电压尖峰，传统两颗背靠背TVS/Zener方案，存在占用PCB面积大、寄生电容高的问题，影响器件高频性能。
该系列产品采用双向非对称结构，正向通道优化开通电压，匹配SiC MOSFET开启阈值，抑制正向过压；反向通道实现低压精准钳位，将负压尖峰限制在安全区间，规避栅极击穿风险。
实测数据显示，在12.56A瞬态浪涌冲击下，器件正负向钳位电压典型值分别为30.4V、9.7V。其0V/1MHz下结电容典型值440pF，支持最高2MHz开关频率，适配SiC高频应用需求。
产品采用SMA封装，可替代传统双二极管组合，减少约50% PCB面积，降低BOM成本，规避器件参数匹配失效风险。同时符合AEC-Q101、IEC 61000-4-2标准，工作结温-55°C至+150°C，采用无卤设计且满足RoHS要求，阻燃等级达UL94 V-0。
该器件可用于新能源汽车OBC、牵引逆变器、DC-DC转换器，以及数据中心电源、光伏逆变器、储能系统等场景。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。