近日，三安光电旗下湖南三安宣布，历经三年专项攻关，成功实现低电阻碳化硅衬底技术突破，成为全球少数掌握该核心技术的企业，相关产品已具备量产能力，将为AI服务器电源、新能源汽车等高端应用提供关键材料支撑。
当前，AI数据中心与云计算产业快速扩张，服务器电源成为影响数据中心PUE值及运营成本的核心部件。行业主流电源需满足80 PLUS钛金级（效率≥96%）及以上能效标准，传统硅基器件已逼近物理极限，难以兼顾高效率与小型化需求。
碳化硅作为硅基材料的理想替代，常规衬底电阻率约20mΩ•cm，降低电阻易引发层错、位错等缺陷，导致良率偏低、成本高企，制约其在服务器电源领域的规模化应用。据行业数据，碳化硅衬底电阻每降低1mΩ•cm，器件导通电阻可下降2%-4%，助力电源向超高效（98%-99%）、小尺寸方向发展。
此次技术突破中，湖南三安在晶体生长、纯度控制、缺陷抑制等关键环节实现突破，将碳化硅衬底平均电阻率稳定至11mΩ•cm，较传统量产产品降低近一半，同时层错、位错、微管等核心指标符合量产标准，解决了低电阻与高品质难以兼顾的行业痛点。
可靠性验证方面，该低电阻碳化硅衬底已完成外延、器件全流程测试，首批配套芯片通过1000小时可靠性测试且零失效。目前，湖南三安已具备规模化量产能力，可按需供货，客户无需调整后段工艺即可实现无缝升级。
（集邦化合物半导体整理）
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