5月27日，环旭电子宣布其新世代功率解决方案领域的先进功率半导体封装技术取得重大突破，实现碳化硅（SiC）封装技术整合创新。
资料显示，环旭电子成立于2003年，2012年于上海证券交易所主板上市，总部位于上海，背靠#日月光 投控，为全球领先的电子设计制造服务（EMS）与SiP系统级封装企业。公司业务覆盖通讯、消费电子、云端存储、工业与汽车电子等领域，在全球布局30余个生产服务据点，2025年营收达591.95亿元。深耕SiP微小化、高密度集成与先进封装技术，聚焦高效能源转换、车载功率电子等前沿方向，提供从设计、制造到系统整合的一站式解决方案。
本次技术核心创新在于，环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板，并采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，首次在业界标准功率封装体中，完成陶瓷绝缘基板与无线键合工艺的集成应用。
据官方披露，该创新设计为内绝缘功率分立器件带来关键技术升级：封装本体自带卓越电气绝缘能力，无需额外外部绝缘材料；同时具备低杂散电感、极低导通阻抗特性。对比传统封装方案，可显著降低导通损耗、减少热量累积，强化长期运行可靠性。无线键合工艺还能让薄型封装容纳更大尺寸芯片，进一步提升功率密度，适配高集成系统设计需求。
环旭电子新产品导入中心资深处长陈治宇表示，伴随功率平台向高效率、高功率密度演进，先进封装对系统效能提升作用凸显；此次技术整合，将打造轻薄、高效、高可靠的新一代功率封装方案。
该技术聚焦电动车、AI数据中心、人形机器人等多元应用场景，凭借低杂散电感、低导通阻抗、高效散热的协同优势，提升能源转换效率与产品可靠性，助力汽车及工业领域电气化升级。
除功率模块外，环旭电子可提供从设计到量产的一站式汽车动力系统服务，覆盖高密度400V/800V逆变器、智能电池断电单元、集成OBC与DCDC转换器的Xin1系统方案。
（集邦化合物半导体整理）
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