近日，杭州镓仁半导体宣布，其依托氧化镓厚膜外延核心工艺迭代，正式对外推出全新高性能氧化镓薄膜外延片产品，产品面向高压功率、射频探测芯片研发提供国产核心材料支撑。
本次新品基于企业自研铸造法单晶生长与定制化MOCVD外延工艺打造，多项关键性能指标达到国际先进水准。晶圆多点XRD摇摆曲线半高宽均低于30角秒，晶体缺陷密度控制水平优异；AFM检测表面粗糙度仅0.35nm，可匹配光刻、刻蚀等高精度芯片制造工序，有效提升下游器件良率；外延层电子迁移率稳定区间130至184cm²/Vs，电学参数复现性强，适配多类器件定制开发需求。
氧化镓属于第四代超宽禁带半导体材料，击穿场强显著优于碳化硅、氮化镓，是800V车载快充、光伏储能逆变器、高压射频雷达、算力服务器电源器件的刚需基材。
此前全球产业长期局限2-4英寸小尺寸样品，镓仁已建成首条兼容6/8英寸氧化镓同质外延量产线，可稳定供应膜厚超10微米的厚膜外延晶圆，膜厚方差低于1%，解决大尺寸氧化镓均匀性量产痛点。
企业打通单晶、衬底、外延全链条自主制造能力，新品厚度、掺杂浓度、晶面取向均可根据客户需求定制，现已开放试样预订，合作对象覆盖国内功率器件厂商、高校科研机构，同步对接海外实验室与材料采购订单。
（集邦化合物半导体整理）
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