在全球功率半导体技术竞逐愈演愈烈的背景下，三菱化学与日本制钢所（JSW）正加快在氮化镓（GaN）领域的投资步伐。根据日经新闻7日报道，双方计划到2027年将GaN基板产能较2026年提升五成，以应对电动汽车快充、逆变器及数据中心电源等下游应用对高性能功率器件日益旺盛的需求。这一扩产目标建立在今年4月产能已较2021年翻倍的基础之上，意味着届时总产能将达到2021年度的三倍。
作为新一代宽带隙半导体材料，氮化镓在电力电子领域展现出独特的技术优势。与传统的硅基材料相比，GaN能够耐受更高的工作电压；而与同为宽禁带材料的碳化硅（SiC）相比，它又具备更快的电流调控速度和更低的电能损耗，尤其适合高频、高功率密度的应用场景。正是这些特性，使GaN成为下一代功率半导体器件最受关注的候选材料之一，也吸引了全球主要经济体在材料和工艺环节展开密集布局。
三菱化学与JSW自2021年起便携手推进功率半导体用GaN基板的联合研发，在技术路径上选择了低压酸性氨热法（SCAAT-LP）工艺，旨在降低制造成本的同时提升晶体品质。双方的合作分工清晰：三菱化学主导技术开发与原料供应，JSW则承担基板量产职能。通过整合各自旗下相关子公司的资源，两家企业正在将实验室阶段的工艺积累加速向产线转移。
从产品路线图来看，目前4英寸基板仍处于客户性能验证阶段，但市场的增量预期已促使双方提前部署更大尺寸规格。按照规划，2026年度将开始提供6英寸基板样品，2028年度进一步推出8英寸产品。大尺寸化不仅有助于降低单颗芯片的制造成本，也是GaN基板从高端利基市场走向大规模商用必须跨越的门槛。
此番扩产的信号意义在于，功率半导体产业正从“材料替代”的验证期转向“产能卡位”的竞争期。随着电动汽车800V高压平台的普及和数据中心能耗标准的持续升级，GaN器件在快速充电、DC-DC转换和电源管理模块中的渗透率有望加速提升。三菱化学与JSW的提前扩产，既是响应现有客户需求的务实举措，也是对中远期结构性增长机会的战略押注。而日本企业在化合物半导体衬底材料领域积累的装备与工艺经验，或将在这一轮全球产能竞赛中成为关键的竞争变量。
在全球功率半导体技术竞逐愈演愈烈的背景下，三菱化学与日本制钢所（JSW）正加快在氮化镓（GaN）领域的投资步伐。根据日经新闻7日报道，双方计划到2027年将GaN基板产能较2026年提升五成，以应对电动汽车快充、逆变器及数据中心电源等下游应用对高性能功率器件日益旺盛的需求。这一扩产目标建立在今年4月产能已较2021年翻倍的基础之上，意味着届时总产能将达到2021年度的三倍。
作为新一代宽带隙半导体材料，氮化镓在电力电子领域展现出独特的技术优势。与传统的硅基材料相比，GaN能够耐受更高的工作电压；而与同为宽禁带材料的碳化硅（SiC）相比，它又具备更快的电流调控速度和更低的电能损耗，尤其适合高频、高功率密度的应用场景。正是这些特性，使GaN成为下一代功率半导体器件最受关注的候选材料之一，也吸引了全球主要经济体在材料和工艺环节展开密集布局。
三菱化学与JSW自2021年起便携手推进功率半导体用GaN基板的联合研发，在技术路径上选择了低压酸性氨热法（SCAAT-LP）工艺，旨在降低制造成本的同时提升晶体品质。双方的合作分工清晰：三菱化学主导技术开发与原料供应，JSW则承担基板量产职能。通过整合各自旗下相关子公司的资源，两家企业正在将实验室阶段的工艺积累加速向产线转移。
从产品路线图来看，目前4英寸基板仍处于客户性能验证阶段，但市场的增量预期已促使双方提前部署更大尺寸规格。按照规划，2026年度将开始提供6英寸基板样品，2028年度进一步推出8英寸产品。大尺寸化不仅有助于降低单颗芯片的制造成本，也是GaN基板从高端利基市场走向大规模商用必须跨越的门槛。
此番扩产的信号意义在于，功率半导体产业正从“材料替代”的验证期转向“产能卡位”的竞争期。随着电动汽车800V高压平台的普及和数据中心能耗标准的持续升级，GaN器件在快速充电、DC-DC转换和电源管理模块中的渗透率有望加速提升。三菱化学与JSW的提前扩产，既是响应现有客户需求的务实举措，也是对中远期结构性增长机会的战略押注。而日本企业在化合物半导体衬底材料领域积累的装备与工艺经验，或将在这一轮全球产能竞赛中成为关键的竞争变量。
（集邦化合物半导体整理）
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