7月2日，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会正式印发《第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026-2028年）》，该文件为国内首个专门面向第四代半导体赛道出台的地方性专项产业政策。
方案清晰划定第四代半导体两大核心发展主线，覆盖超宽禁带、超窄禁带两类前沿材料体系。其中超宽禁带半导体以氧化镓、金刚石、氮化铝为核心发展材料；超窄禁带半导体重点布局锑化铟、锑化镓两类材料路线，覆盖功率器件、红外探测、量子传感、芯片热管理、深紫外光电器件等多元应用赛道。
文件配套构建八大重点工程全链条培育体系，完整覆盖基础材料攻关、外延工艺研发、核心器件量产、专用装备配套、先进封装、公共验证平台搭建、场景示范落地、产业生态培育全环节，形成从实验室研发、概念验证、工程化中试到规模化商用的完整落地路径，明确2026至2028三年分阶段实施时间表与落地细则。
方案设定量化产业发展目标，至2028年末，临港新片区集聚第四代半导体上下游关联企业数量不少于50家，区域第四代半导体相关产业整体规模力争突破50亿元，建成国内领先、辐射长三角区域的第四代半导体材料与专用器件产业先导区。
产业空间布局方面，方案规划分阶段梯度承载模式。短期以滴水湖青创湾、片区大学科技园为启动核心区，布局孵化器、概念验证平台与中小研发企业；中长期产业载体向“东方芯港”集成电路产业片区拓展，联动现有成熟晶圆制造、封测配套资源，实现第四代半导体与现有集成电路、新能源汽车、航空航天、高端装备产业协同配套发展。
政策配套层面，临港同步配套未来产业基金、项目攻关专项补贴、流片验证补助、载体空间扶持等落地举措，针对氧化镓衬底、金刚石半导体加工、锑基红外芯片等卡脖子技术设立专项攻关支持通道，单个核心技术项目可申报高额研发扶持资金，降低企业产业化试错成本。
公开产业资料显示，第四代半导体属于继硅、砷化镓、碳化硅/氮化镓之后的新一代半导体材料体系，在高压电力电子、极端环境探测、AI芯片散热、量子精密测量等领域具备不可替代性能优势，当前全球整体处于产业化前期阶段。临港本次专项方案落地，为国内第四代半导体区域集群化发展提供清晰政策指引。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。