7月14日，欧盟委员会正式发布公告，批准总额6.59亿欧元德国国家补贴，支持四座欧洲首创半导体生产项目落地。其中德国中小企业Element 3-5 GmbH将获得3.53亿欧元直接资助，用于在北莱茵-威斯特法伦州巴斯韦勒（Baesweiler）建设碳化硅（SiC）外延晶圆生产工厂。
该项目代号为SiCnature，将打造欧洲首创的专业化SiC外延晶圆制造产线。SiC外延晶圆是在碳化硅衬底上生长高质量薄膜，是制造SiC功率器件的核心基础材料。公告信息显示，项目将采用创新制备工艺，对比传统热壁CVD方案，能够提升生产能效、工艺良率与整体制造效率。产出的SiC外延晶圆计划供给汽车电子、工业设备、通信及新能源等领域。
本次补贴资金由德国联邦政府与北莱茵-威斯特法伦州地方财政共同出资。欧盟委员会认定，四座半导体项目均属于欧洲首创生产线，补贴安排符合《欧洲芯片法案》发展目标，有助于增强欧盟半导体产业链自主供给能力。
同期获得补贴的企业还有三家：Vishay Siliconix Itzehoe GmbH获得2.14亿欧元，用于建设硅基功率MOSFET产线；KLA-Tencor MIE拿到7440万欧元，布局先进光学套刻与薄膜量测设备生产线；KETEK GmbH获得1790万欧元，建设硅漂移探测器及特种芯片产线。
公开资料显示，Element 3-5总部坐落于巴斯韦勒，聚焦宽禁带半导体设备与外延工艺研发，主打面向SiC、氮化铝、氮化镓的外延量产系统。其外延设备方案支持垂直放置晶圆生产，追求薄膜均匀性与低颗粒污染，适配第三代半导体单晶外延量产需求。
从欧洲本土SiC产业现状来看，区域内英飞凌、意法半导体等IDM大厂大多采用垂直整合模式，配套自用SiC外延产能，面向外部市场的独立商业化SiC外延晶圆供给较为稀缺，大量外延材料依赖海外厂商进口。
近年依托欧盟芯片法案配套资金，欧洲持续加码碳化硅全链条布局，安森美正在捷克建设覆盖衬底、外延、器件制造的一体化8英寸SiC工厂，意法半导体在意大利打造集衬底、外延、晶圆制造于一体的碳化硅园区。但专门面向第三方客户、独立运营的专业化SiC外延产线数量较少，Element 3-5新项目建成后，将补齐欧洲第三方SiC外延产能短板。
（集邦化合物半导体整理）
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