近日，晶盛机电在机构调研及投资者互动平台对外披露碳化硅衬底业务最新进展。
公司子公司浙江晶瑞电子材料有限公司正加快推进年产60万片8英寸SiC衬底项目投产工作，同时启动配套新一期基础设施建设，匹配下游新能源、AI、AR等市场长期增长需求。
该8英寸碳化硅衬底生产基地落地杭州湾上虞经济技术开发区，产线采用无人化自动运行与数字化管控体系，能够实现车规级碳化硅晶片品质稳定控制与全流程追溯，目标打造全自动智能化工厂。行业趋势方面，晶盛机电判断，8英寸SiC衬底将逐步成为全球功率半导体产业主流尺寸。
产能布局上，晶盛机电同步推进海内外双基地建设。海外马来西亚8英寸SiC衬底工厂建设有序推进，项目预计2026年底实现通线投产，一期规划年产能24万片8英寸碳化硅衬底。国内上虞基地叠加海外槟城工厂，将形成国内、海外协同的供应体系，面向全球客户提供多元化材料保障。
技术研发层面，依托自研碳化硅单晶生长设备与成套工艺，晶盛机电已实现8英寸SiC衬底稳定规模化量产，相关产品取得海内外客户批量订单，并实现海外批量出货。同时公司攻克12英寸碳化硅晶体生长温场不均、晶体开裂等技术难点，建成12英寸碳化硅衬底加工中试线，12英寸光学级碳化硅衬底已进入小批量生产阶段。
从产业链配套来看，晶盛机电同步布局上游晶体配套项目，宁夏银川8英寸碳化硅衬底配套晶体项目已投产，保障衬底制造环节原材料稳定供给。依托设备自研优势，公司实现碳化硅晶体生长、切割、抛光、清洗、检测全流程设备自主可控。
（集邦化合物半导体整理）
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