7月11日，江苏省科技厅公示首批企业主导省级重点实验室筹建名单，江苏长晶科技股份有限公司牵头、联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”正式入选筹建序列。
图片来源：公示名单截图
实验室面向能源转型、集成电路自主可控需求，瞄准新型功率半导体共性技术瓶颈，规划四大核心攻关方向：高性能SGT器件及先进封装技术、极致CSP晶圆级功率器件研究、高功率密度IGBT产品开发、第二代1200V SiC MOSFET关键技术与产业化落地。平台构建“器件理论创新—芯片研发—设计方法迭代—系统集成应用”完整创新链条，推动基础研究成果快速向量产产品转化。
依托长晶科技IDM垂直一体化布局优势，叠加南京邮电大学在功率器件物理、先进封测领域科研与人才储备，实验室采用企业主导、高校协同的产学研模式。长晶科技拥有从芯片设计、晶圆制造到封装测试全链条能力，主营MOSFET、IGBT、电源管理IC等产品，广泛应用于消费电子、工业控制、新能源汽车等赛道；本次省级重点实验室落地，将进一步补齐前沿技术预研平台。
放眼国内功率半导体产业，新能源、储能、车载电子持续拉动硅基高端功率器件与碳化硅器件需求。传统硅基MOSFET持续向低内阻、小型化CSP封装演进；SiC器件逐步从车规主驱拓展至储能、工控场景，但第二代SiC MOSFET在可靠性、成本层面仍存在诸多工程难题。国内厂商普遍面临前沿基础研发投入不足、实验室成果难以规模化量产等痛点。
江苏省近期启动首批企业牵头省重点实验室建设，鼓励龙头企业作为创新主体，直面产业真实技术难题。同期省内多家功率半导体企业相继启动创新平台建设，推动江苏形成硅基功率器件与第三代半导体协同发展格局。长晶科技实验室兼顾硅基高端分立器件与碳化硅宽禁带器件研发，和省内其他功率半导体创新平台形成差异化互补。
（集邦化合物半导体整理）
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