7月27日科创板日报披露，北京铭镓半导体有限公司顺利完成金额超1.5亿元Pre-B轮股权融资，本轮由千曦资本、芯禾资本、安阳经开集团、粤科金融、天鹰资本、洪泰基金联合出资入局，继续加码超宽禁带半导体材料研发与产能建设。
铭镓半导体2020年成立，核心聚焦第四代超宽禁带半导体氧化镓、光通信高频磷化铟晶体以及大尺寸掺杂光学晶体的研发、长晶与衬底量产，是国内氧化镓产业化第一梯队企业，在北京顺义设立总部研发基地，在河南安阳布局核心量产工厂，产品已进入头部功率器件、光模块厂商供应链。
叠加本次Pre-B轮融资，公司自成立以来累计完成六轮股权融资，总募资规模已逼近5亿元。
今年的1月26日，铭镓半导体完成1.1亿元A++轮融资，重点推进6英寸氧化镓衬底研发、2-4英寸衬底中试产线搭建与磷化铟多晶产能扩充，本轮资金将延续既定战略，一方面迭代大尺寸氧化镓单晶衬底、同质外延片工艺，提升高压功率器件用材料良率与一致性；另一方面扩充磷化铟晶体产能，匹配AI高速光模块、CPO共封装光学对磷化铟衬底的旺盛需求，完善化合物半导体两大核心产品矩阵。
从下游应用价值来看，氧化镓凭借超宽禁带特性，在新能源车车载电源、光伏逆变器、高压电网设备、大功率快充等场景具备极强替代优势；磷化铟则是800G/1.6T光引擎核心基底，深度受益算力网络建设浪潮。持续大额资本加持，将帮助铭镓半导体加速打通从单晶长晶、外延片到器件验证的全链条国产化，缩小与海外厂商技术产能差距。
（集邦化合物半导体整理）
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