10月20日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地在扬州市江都区完成主体结构封顶。该基地为车规级第三代功率半导体模块项目，总投资10亿元，一期投资约2亿元，达产后预计形成年产150万只SiC模块的能力。项目于今年3月29日开工，预计2027年4月完成通线。
图片来源：利普思半导体
基地占地32亩，建筑面积约3.2万平方米，涵盖封装测试工厂、研发及测试中心、可靠性和失效分析实验室等设施。首期规划建设3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线，设备包括全自动贴片机、银烧结机、真空焊接炉等百余台，并导入MES、EAP等生产管理系统。封顶后，项目将进入产线设备安装与调试阶段。
从产品与技术进展来看，利普思近期在高压SiC模块上有所推进。据公司在PCIM Europe 2026展会期间披露的信息，其LEP系列面向AI数据中心固态变压器（SST）市场，覆盖1200V至2300V电压区间；LPP系列为3300V高压SiC模组，适配电网级固态变压器和大功率变流器。多款1200V至3300V SiC模块已在国内外客户的SST中进入样品测试或可靠性验证阶段。
公司层面，利普思于2026年获评国家级专精特新“小巨人”企业。目前其业务覆盖新能源汽车、储能、电网、固态变压器及固态断路器等领域，海外销售在2025年约占整体业务的50%，重点市场包括欧洲、美国、日韩等。
扬州基地投用后，将与无锡现有研发与测试能力形成协同，利普思的车规级SiC模块封装测试产能将得到进一步扩充。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。