近日，武汉光谷企业硅来半导体（武汉）有限公司对外公布技术突破，其自主研发的碳化硅衬底激光剥离全自动化设备，完成350mm碳化硅晶锭激光剥离，打通剥离、研磨、抛光与检测整套工艺链路，产出具备衬底形态的350mm碳化硅片，并且实现多片连续稳定出片，该成果为全球首次。
图片来源：硅来半导体
硅来半导体这套自动化激光剥离设备采用多路光源集成方案，在单台设备内完成整片晶锭的激光剥离加工，减少多次装夹带来的加工误差。碳化硅硬度极高，大尺寸晶锭切片一直是行业瓶颈，传统线切工艺材料损耗高、良率管控难度大，激光剥离路线可以降低材料损耗，适配超大尺寸碳化硅衬底加工需求。本次350mm规格，大于行业当前主流攻关的300mm（12英寸）尺寸，可进一步提升单块晶锭的芯片产出数量，摊薄碳化硅衬底制造成本。
硅来半导体2024年在武汉光谷注册设立，核心研发团队来自华中科技大学，主打碳化硅衬底激光剥离加工装备。在此之前，公司已经推出兼容6英寸、8英寸、12英寸规格的碳化硅激光剥离设备，相关设备已经实现批量交付给国内碳化硅衬底头部厂商。本次350mm工艺验证落地之后，公司设备产品线覆盖6英寸、8英寸、12英寸以及350mm超大尺寸加工需求。
碳化硅衬底是新能源车功率器件、储能变流器、射频器件的核心基底材料，同时该超大尺寸碳化硅片也可用于AR光学相关场景。行业现阶段的产业化重心集中在8英寸碳化硅衬底，12英寸碳化硅衬底尚处在客户验证、小批量试产阶段，350mm属于超前工艺探索。
本次仅为工艺验证层面的突破，硅来半导体尚未披露350mm碳化硅衬底的量产时间表、良率指标以及客户定点计划。大尺寸碳化硅除切片环节之外，长晶、外延、抛光、检测各个环节都存在较高技术门槛，距离商业化大批量供货仍有较长验证周期。
（集邦化合物半导体整理）
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