硅谷AI硬件基础设施迎来一家极具潜力的初创公司。由麻省理工学院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下简称“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100万美元种子轮融资。本轮融资由知名风投机构Playground Global领投，Jimco Technology Ventures、Milemark-Capital和Shin-etsu等机构跟投。
图片来源：Vertical官网新闻稿截图
Vertical公司的核心使命是解决日益严峻的人工智能数据中心电力输送瓶颈问题，其突破性技术在于开发并商业化垂直氮化镓（Vertical GaN）晶体管。
公开资料显示，Vertical脱胎于麻省理工学院著名的Palacios Group实验室，专注于氮化镓（GaN）晶体管的研究。GaN作为新一代半导体材料，相比传统的硅基芯片，具备更高的效率、更快的开关速度，以及在更高温度和电压下工作的能力，广泛应用于电动汽车和电力电子领域。
Vertical的技术创新点在于颠覆了传统的横向晶体管设计，将GaN晶体管设计成垂直堆叠结构。这种创新设计带来了多重优势。
首先，它能够提高密度，在单个芯片内集成更多晶体管。其次，它能支持更高电压，允许电流流经晶体管的更多部分，从而显著提升性能。更重要的是，垂直结构凭借其卓越的热管理能力，热量散逸优于横向设计，支持更高的功率密度。此外，它还能强化可靠性，利用一种名为“雪崩”的自我保护机制，确保晶体管在电压尖峰期间仍能稳定工作。
Vertical的联合创始人兼首席执行官Cynthia Liao坚信，垂直氮化镓晶体管正是AI数据中心当前迫切需要的解决方案。她指出：“人工智能硬件最大的瓶颈在于我们向芯片供电的速度。AI的发展速度不再仅仅受限于算法。”
廖首席执行官进一步解释，现有的芯片设计已难以提供足够的功率来维持更先进的AI工作负载。Vertical的垂直GaN技术能够将能量转换推向更靠近芯片的位置，使其以更少的能量和热量完成更多计算。
据公司估算，采用Vertical的解决方案，可以将数据中心的效率提高高达30%，同时将功耗降低一半。
Horizontal已在八英寸晶圆上展示了其技术，并利用标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）制造方法，证明其技术能够无缝集成到现有的半导体制造和数据中心生态中。
领投方Playground Global的Matt Hershenson对此表示高度赞赏：“Vertical破解了困扰半导体行业多年的难题，即如何提供高压、高效且可扩展、可制造的电力电子器件。”他认为，Vertical不仅推动了科学进步，更将“改变计算的经济性”。
Vertical表示，本次获得的1100万美元资金将用于加速其商业化进程。目前，垂直GaN晶体管原型已在开发中，公司计划在今年年底前开始向早期客户提供封装器件样品。如果一切顺利，预计将在2026年底前推出完全集成的解决方案。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。