近日，德国半导体设备企业AIXTRON（爱思强）官方宣布，已向全球知名半导体制造商瑞萨电子交付多套Planetary G5+C型MOCVD系统，用于扩充瑞萨氮化镓（GaN）功率器件的大规模量产（HVM）产能，设备已全部交付并投入满负荷运行。
瑞萨电子总部位于日本东京，2010年由瑞萨科技与NEC电子合并成立，是全球领先的嵌入式半导体解决方案供应商。核心业务覆盖汽车电子、工业控制、基础设施及物联网，为全球第三大汽车半导体公司及最大微控制器（MCU）供应商，产品广泛应用于汽车动力总成、自动驾驶、工业自动化及电源管理等领域。
爱思强1983年创立于德国亚琛，总部位于黑措根拉特，是全球化合物半导体沉积设备的头部企业。专注研发、生产金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，为 GaN、SiC、LED、激光器等提供核心制程装备，客户遍及全球，在氮化镓MOCVD设备市场占据重要地位。
此次合作是瑞萨自2024年6月完成对GaN企业Transphorm收购后，加速GaN产能建设的关键举措，核心瞄准电动车、快充基建、AI数据中心电源及工业电源等领域对高效功率器件的爆发式需求。
MOCVD（金属有机化学气相沉积）是制备高质量GaN外延层的核心工艺，直接决定芯片性能与量产良率。爱思强Planetary G5+C系统为行业主流量产机型，具备高通量、高均匀性优势，适配6-8英寸晶圆量产，可满足瑞萨从6英寸向8英寸产线升级的技术需求，支撑其第二个GaN晶圆厂建设规划（预计2027年投产）。
瑞萨电子功率产品集团GaN业务副总裁Rohan Samsi表示，GaN是公司增长最快的业务板块，此次引入爱思强设备，将快速放大基于Transphorm技术的量产能力，巩固在中高压GaN市场的领先地位。爱思强GaN产品管理总监Dr. Nicolas Müsgens则指出，该合作印证了行业对GaN大规模制造的信心，双方将深化技术协同，助力瑞萨抢占第三代半导体市场先机。
（集邦化合物半导体整理）
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