5月10日，中天晶科通过官方渠道发布消息称，继成功制备8英寸碳化硅晶体之后，公司已进一步实现12英寸碳化硅单晶生长技术的突破。
在大尺寸碳化硅晶体领域，中天晶科的技术演进路径清晰：
2022年10月，公司首块8英寸碳化硅晶体问世；2025年3月，首块12英寸碳化硅晶体顺利出炉。随着晶圆尺寸增大，晶体内部的应力控制和缺陷管理难度显著上升，这是行业公认的技术瓶颈。中天晶科研发团队经过多轮严格的技术攻关，逐步解决了大尺寸晶体生长中的核心难题。
值得注意的是，从2025年3月首块12英寸晶体成功制备，到2026年5月正式对外公布，中间间隔了约14个月。
中天晶科在此期间持续进行技术验证与优化，最终确认工艺的稳定性和可重复性。此次技术突破的取得，主要依托于公司自主设计制造的长晶设备，以及持续迭代的工艺技术体系。通过设备与工艺的深度协同，为大尺寸碳化硅晶体的稳定生长提供了可靠保障。
（集邦化合物半导体整理）
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