“广东致能半导体有限公司”官微消息，近期，广东致能创始人黎子兰博士参加在瑞典举办的第十五届国际氮化物半导体会议（ICNS-15）并作邀请报告（Invited Talk）。报告分享了团队在硅基垂直氮化镓功率器件（GaN HEMT）技术上的原创性突破及应用前景。 广东致能团队全球首创...  [详内文]

英诺赛科（Innoscience）正通过产能拓展、技术创新及战略合作强化，持续巩固其市场地位。公司计划在未来五年内显著提升晶圆产能，同时推出新一代产品平台并积极布局车规级、AI服务器等高增长应用市场。 产能布局与技术路线：聚焦8英寸，展望12英寸 英诺赛科正加速其8英寸氮化镓晶圆...  [详内文]

7月3日，英飞凌在其官方网站宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓（GaN）制造技术已取得突破性进展。这一里程碑标志着GaN功率器件的大规模商业化生产迈出了关键一步，首批样品预计将于2025年第四季度交付客户。 图片来源：英飞凌官网截图 氮化镓作为新一代宽禁带半导体材料，以其卓...  [详内文]

7月1日，氮化镓（GaN）功率半导体领域的领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布，与全球领先的晶圆代工厂力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）达成战略合作。 此次合作的核...  [详内文]

“先为科技”官微消息，6月16日无锡先为科技有限公司首台 GaN MOCVD BrillMO 外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。 图片来源：先为科技 先为科技表示，此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备，各项性能均达到行业领先水平。该设备运用特有的温...  [详内文]