3月15日，台湾汉磊集团董事长徐建华到访爱仕特进行交流。
双方在以下方面达成重要合作，基于双方2022年已签署的LTA协议，汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求；1700V和3300V SiC MOS的量产准备；共同合作开发SiC MOS trench工艺技术；共同合作开发SiC MOS 8英寸工艺技术。
交流中，徐建华介绍了汉磊集团SiC MOS现有的代工产能和新技术研发状况，扩产的规划和详细进展，后续重点发展车规级芯片代工（长期为英飞凌车规级MOS提供代工服务）。
爱仕特方面，展示了公司自主研发并生产的全SiC MOS模块，全部采用汉磊代工生产的1200V 17毫欧SiC MOS芯片，也是国内率先上车使用的自主研发的SiC MOS芯片。
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据悉，汉磊科技成立于1985年，是全球第一家Linear Bipolar IC专业代工厂，具备化合物半导体氮化镓 (GaN) 及碳化硅 (SiC)专业代工能力，拥有1座 4/5英寸晶圆厂、2座 6英寸晶圆厂。
其中，4英寸月产能为1000 pcs、5英寸月产能为8000 pcs，6英寸月产能分别为17 000 pcs和33 000 pcs。
爱仕特主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块，以及相关系统方案的开发。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC MOS模块，以及基于SiC MOS模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。
目前，爱仕特采用6英寸技术已量产20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 产品，并建立起车规级的 SiC MOS 模块工厂。（文：集邦化合物半导体 Arely整理）
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