3月31日，汽车零部件供应商日本电装（Denso Corp.）宣布已开发首款SiC碳化硅逆变器，该逆变器集成在BluE Nexus的电驱模块eAxle中，已应用到最近刚上市的雷克萨斯首款电动汽车RZ上。
来源：日本电装
据介绍，日本电装逆变器所用的SiC功率半导体采用其专有的沟槽型MOS结构，能够通过减少因散热导致的功耗问题，提升每颗芯片的输出功率，而且晶体管能够实现高压、低导通电阻等性能。
值得注意的是，该SiC逆变器的外延片由日本Resonac提供，并联合丰田中心研发实验室（Toyota Central R&D Labs）共同开发，还结合了日本国家研发机构NEDO（New Energy and Industrial Technology Development Organization）的研究成果。
通常情况下，晶体中原子排列乱序会阻碍器件的正常运作，但基于上述研发工作，日本电装成功将晶体缺陷数量减半，从而提升了SiC功率半导体器件的质量，确保生产的稳定性。
来源：日本电装
来源：日本电装
日本电装将其SiC技术命名为REVOSIC，2020年12月上市的丰田Mirai便采用了基于REVOSIC技术的功率晶体管。未来，日本电装计划依托这项技术全面开发从晶圆到半导体器件和模块（如电源板）的技术。（化合物半导体市场Jenny编译）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。