三安光电公布6英寸SiC最新产能规划

作者 | 发布日期 2023 年 12 月 26 日 17:43 | 分类 碳化硅SiC

12月25日,三安光电在互动平台表示,截至2023年上半年末,公司6英寸碳化硅(SiC)产能为1.5万片/月,预计2023年末至2024年初,产能规划扩产至1.8万-2万片/月。三安光电称,公司8英寸SiC产品已进行了小批量试生产,衬底产品良率水平居国内前列且稳步提升。

据悉,湖南三安主导三安光电旗下SiC/GaN电力电子业务,具体以SiC为主,GaN目前占比较小。

早在2020年7月,总投资达160亿元、占地面积达1000亩的湖南三安半导体项目正式开工。湖南三安半导体主要建设具有自主知识产权的衬底(SiC)、外延、芯片及封装产业生产基地,形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的SiC全产业链。项目建成达产后,将形成约36万片/年的产能。
上半年,得益于SiC市场需求强劲,湖南三安整体业绩保持增长趋势,实现营收5.82亿元,同比增长178.86%;净利润为3.32亿元,同比增长266.99%。

为推进湖南三安的业务发展,今年8月,三安光电决定以自有资金10亿元对湖南三安增资,后者注册资本由20亿元增加到30亿元。

8英寸方面,湖南三安进展较快。今年6月,湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展会上首发8英寸SiC衬底,正式切入8英寸衬底领域;今年10月,湖南三安披露,8英寸SiC衬底已完成开发,并进入小批量生产及送样阶段;近期,湖南三安将重点放在良率提升上,通过设备调试与工艺优化,推进量产进程。

与此同时,湖南三安与意法半导体合资成立的三安意法半导体(重庆)有限公司承建的8英寸SiC器件厂项目已获批通过,预计将于2025年完成阶段性建设并投产,2028年进入达产阶段。为保障该项目顺利实施,三安光电拟在重庆独资设立子公司生产SiC衬底作为配套,预计投资总额70亿元。

近年来,国内SiC厂商在扩产方面动作频频。衬底方面,例如:天岳先进拟投资20亿元用于募投项目SiC半导体材料项目,达产后将新增产能约30万片/年;露笑科技2022年7月完成25.67亿元增发用于推进SiC项目,项目完成后将形成年产24万片6英寸导电型SiC衬底片的产能。

器件方面,例如:士兰微正在推进定增事项,其中7.5亿元用于SiC功率器件生产线建设项目,达产后将新增年产14.4万片SiC MOSFET/SBD芯片的产能;振华科技也正在推进定增事项,其中包括建设一条12万片/年产能的6英寸Si/SiC基功率器件制造线。(集邦化合物半导体Zac整理)

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