碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其耐高压、高频、高温等特性，正成为新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域的技术变革引擎。
近期，基本半导体、英飞凌相继宣布获得碳化硅新突破：基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET产品矩阵，覆盖车规级、工业级多场景需求；英飞凌则将基于沟槽的SiC超结技术（TSJ）引入其CoolSiC产品线，实现器件性能与能效的双重跃升。两项技术进展显示，碳化硅功率器件正朝着提升集成度和降低损耗的方向发展，有助于下游应用实现能效提升。
1、基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
5月6日，#基本半导体 官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。
据基本半导体介绍，其中的650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm，在低电压等级下实现了更高性能表现。
这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能，降低能量损耗，助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。
source：基本半导体（图为新一代碳化硅MOSFET参数列表）
2、英飞凌推出基于沟槽的SiC超结技术
5月6日，#英飞凌 科技股份公司宣布，其CoolSiC产品线正式引入基于沟槽的碳化硅超结技术（TSJ），将电压覆盖范围扩展至400V至3.3kV，全面覆盖汽车电驱动、电动汽车充电、光伏逆变、储能系统及工业牵引等核心领域。
英飞凌此次技术升级延续了其在硅基超结技术（CoolMOS）领域的技术积淀，通过将沟槽栅极结构与超结电荷平衡原理结合，实现了器件性能的突破性提升。
英飞凌表示，英飞凌正在利用 SiC TSJ 技术逐步扩展其 CoolSiC 产品组合。此次扩展将涵盖多种封装类型，包括分立器件、模制和基于框架的模块，以及裸片。扩展后的产品组合将满足广泛的应用需求，同时针对汽车和工业领域。
3、结语
当前碳化硅技术突破正推动器件性能与能效持续提升，基本半导体与英飞凌的技术进展为新能源汽车、光伏储能等场景提供了更优的功率解决方案。随着工艺成熟与产业链协同深化，碳化硅器件的规模化应用进程有望进一步加速。（集邦化合物半导体 niko 整理）