近日，扬杰科技、三安光电、华太电子以及中恒微半导体四家企业分别发布其在关键技术和市场拓展方面的重要进展。从前瞻布局人形机器人到深耕新能源汽车和赋能新一代通信技术，国内功率半导体企业正以创新驱动，加速产业升级。
01、扬杰科技：布局人形机器人与车规级SiC模块双线并进
扬杰科技于5月12日在互动平台透露，公司现有部分IGBT、MOSFET、ESD、TVS等产品已可应用于人形机器人的小型关节电机和步进电机驱动及感知系统。尽管目前出货量尚小，但此举标志着扬杰科技已前瞻性地布局人形机器人这一新兴领域。同时，公司也密切关注外骨骼机器人技术的发展与市场动向，计划根据实际情况进行相关战略调整。
新能源汽车领域，扬杰科技于5月9日宣布其SiC车规级功率半导体模块封装项目正式开工，总投资高达10亿元。该项目专注于车规级框架式和塑封式IGBT、SiC MOSFET模块等第三代半导体产品，旨在显著提升公司在汽车电子功率半导体领域的竞争力。
source：扬杰科技
值得一提的是，扬杰科技在2025年第一季度的汽车电子营收占比已超过15%，展现出其在该领域的强劲增长势头。此外，为进一步完善其在电路保护器件领域的产品布局，扬杰科技还计划收购东莞贝特。
扬杰科技主营产品涵盖MOSFET、IGBT、SiC等，广泛应用于汽车电子、清洁能源、5G通讯等多个领域。公司采用“YJ”和“MCC”双品牌策略，分别深耕国内及亚太市场和欧美市场，构建全球化的市场渠道。
02、三安光电：碳化硅业务强势增长，产能持续扩张
三安光电近日表示，公司的碳化硅衬底及外延销售已正式计入集成电路产品营业收入，并透露湖南三安已具备16000片/月的6英寸碳化硅配套产能。此前信息显示，截至2025年4月，湖南三安的8英寸碳化硅衬底及外延产能已达1000片/月，8英寸碳化硅芯片产线正在建设中。重庆三安的8英寸碳化硅衬底生产线已于2025年3月投产，当前产能为500片/周，并计划逐步提升至每周1万片。
三安光电已完成650V至2000V、13mΩ至1000mΩ全系列SiC MOSFET的产品布局，广泛应用于光伏、充电桩、工业电源、数据中心及AI服务器电源等工业级市场，部分产品已实现量产和批量供货。湖南三安的碳化硅衬底也已向多家客户送样验证，并在AI/AR眼镜、热沉散热等新兴应用方向展开探索。
在合资方面，湖南三安与意法半导体在重庆成立的安意法半导体已于2025年2月实现通线，首次建设产能2000片/月，规划达产后8英寸外延、芯片年产能将达到48万片。此外，湖南三安与理想汽车合资成立的苏州斯科半导体，其生产的理想汽车自研自产碳化硅功率模块已于2025年2月13日下线。
source：意法半导体
财务数据显示，三安光电在2024年实现营业收入约145亿元，同比增长16.7%，其中碳化硅业务营收突破11.4亿元，同比增长高达200%，成为公司营收增长的重要驱动力。
03、华太电子：发布高性能功率放大器，赋能5G与低碳未来
华太电子于5月12日正式发布三款高性能功率放大器——HTH1D22P700S、HTN8G27P060P与H9G1822M60Q。这些产品覆盖5G NR、4G LTE、基站驱动及分布式天线系统等多种应用场景，致力于以高效节能技术推动全球通信基础设施向绿色低碳转型。
其中，HTH1D22P700S采用先进的GaN on SiC技术，提供高达700W的饱和输出功率，适用于5G NR FR1和4G LTE等，广泛应用于宏基站、中继器和DAS系统。HTN8G27P060P基于Doherty架构，具备双通路60W输出功率，支持多种通信制式，适用于设备升级和多载波部署。H9G1822M60Q采用非对称Doherty结构，在效率与线性之间取得平衡，为基站提供高效的驱动解决方案。
华太电子于2025年4月在MEE 2025上展示了其最新的6kW储能逆变器方案以及功率模块封测和定制服务，并推出了适用于新能源与工业电源领域的超结二代（SJ-IGBT）新品。华太电子专注于射频、功率系列产品和高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率封测业务。
04、中恒微半导体：推出Drive ED3封装SiC功率模块
中恒微半导体于5月12日宣布推出Drive ED3（EconoDUAL™ 3）封装的SiC功率模块。该模块采用平面栅（planer gate）SiC MOSFET芯片技术，在高温下展现出优异的低导通电阻特性。其标准封装具有良好的适配性，能够满足多种中等功率应用的需求。
source：中恒微
Drive ED3封装的SiC功率模块在高耐温性方面表现卓越，最高可达600℃，保证了在极端工作条件下的稳定性能，提升了系统的可靠性和使用寿命。凭借其卓越性能，该模块适用于新能源汽车的主逆变器、光伏逆变器以及智能电网等领域，为相关行业的技术进步提供有力支持。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）