第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。
1、Wolfspeed推出第四代1200V车规级裸芯片碳化硅MOSFET
8月11日消息，Wolfspeed推出第四代 (Gen 4) 1200V车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片MOSFET系列，专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed第四代高性能碳化硅MOSFET，可在185°C下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。
图片来源：Wolfspeed
该系列产品采用无封装裸芯片设计，可灵活集成于各类定制模块中。凭借高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等卓越特性，该器件成为汽车动力总成系统与电机驱动应用的理想解决方案。
Wolfspeed介绍，上述产品具备车规级认证、高阻断电压、抗闩锁效应、高栅极电阻以及高电容比等特性，通过降低开关损耗和导通损耗提升系统效率，助力减小系统体积、减轻系统重量、减少冷却需求，支持高开关频率工作，易于并联，兼容标准栅极驱动设计，可应用于汽车动力总成、电机驱动、固态断路器、谐振拓扑等领域。
2、英诺赛科发布100V低边驱动IC
近期，英诺赛科 (Innoscience) 推出全球首款100V低边驱动器芯片 INS1011SD，旨在优化40V至120V双向VGaN™的栅极驱动，简化 BMS（电池管理系统）中的低边电池保护，并消除笨重复杂的背靠背 Si MOS设计。
图片来源：英诺赛科
英诺赛科介绍，该款产品具备以下优势：
超低功耗：8uA典型静态电流，极大延长电池待机时间
高速开关：具备高速开通和关断能力，能够快速响应故障保护系统
强驱动力：能够驱动多颗VGaN™并联，满足大电流应用
广泛兼容性：兼容主流AFE和MCU控制逻辑
宽工作电压与高耐压：VCC提供从8V-90V的电压范围，且关键引脚耐压高
标准封装：标准SOP-8封装，方便使用和贴装
随着上述产品发布，英诺赛科完成了从单一VGaN™系列到“ VGaN™+专用驱动”的完整解决方案的迈进，推动氮化镓技术实现更广泛、更便捷的应用，构建完善生态。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）
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