5月21日，株洲中车董事长李东林在“先进轨道交通行业专场”说明会上透露了公司在碳化硅（SiC）产业的最新进展。
株洲中车正加快8英寸碳化硅产线建设，其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动，计划2025年5月完成主体厂房封顶，年底前实现整线贯通。公司现有的6英寸SiC芯片生产线年产2.5万片，已具备成熟产能。
图片来源：株洲中车
在MOSFET技术上，株洲中车已完成第三代精细平面栅SiC MOSFET的定型开发，技术水平已达到行业主流。第四代沟槽栅产品已完成设计定型，并达到行业先进水平，性能指标基本对标国际龙头企业。此外，公司已前瞻性布局第五代技术研发，并透露在超精细沟槽栅7.5代技术方面已达到国际领先水平，展现出强大的持续创新能力。
公司重点产品涵盖650V至6500V电压等级的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二极管）。其中，1200V SBD已在光伏领域实现批量出货。
在封装层面，SiC TO封装器件已在充电桩、车载充电机（OBC）、电源管理等领域实现规模供货。面向新能源汽车主驱控制器，公司于2022年底正式发布了其C-Power 220s平台，这是国内首款基于自主碳化硅研制的大功率电驱产品，系统效率最高可达94%，目前已进入整车厂验证阶段，预计2025年有望实现主驱批量出货。
株洲中车正在构建从衬底、芯片到应用平台的完整SiC产业生态，加速向高压、高能效电力电子市场渗透。随着产线升级、技术迭代和产品矩阵的完善，株洲中车有望在碳化硅领域实现更大突破，推动相关产业的升级与发展。
（集邦化合物半导体 EMMA 整理）
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