月产2亿颗芯片,SiC/GaN封装工厂正式投产

作者 | 发布日期 2025 年 08 月 04 日 14:25 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

据滨海发布消息,8月1日,伯芯微电子(天津)有限公司(简称“伯芯微电子”)在天津经开区微电子创新产业园正式投产。

图片来源:滨海发布

根据预测,该项目达产后,预计月封装芯片产能在2亿颗以上,年收入将达到2亿元以上。

公开资料显示,伯芯微电子成立于2022年,由中科院微电子研究所注册成立,是一家专注于半导体集成电路封装测试的企业,主要开展DFN(双扁平无引脚封装)和QFN(方形扁平无引脚封装)两大类形式的封装,封装产品主要是电源保护类芯片。

除现有产品产能提升外,伯芯微电子还将增加Flip chip(倒装芯片)工艺先进封装样品线、功率SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)芯片封装以及RF射频模块、音频功放IC模块等产品线,逐步从小型化封装扩展到高级封装。

SiC和GaN作为第三代半导体材料,凭借耐高温、高频、高效等特性,广泛应用于新能源汽车、储能、光伏逆变器、5G基站等高压高频场景。例如,在新能源汽车领域,碳化硅功率器件可提升逆变器效率,降低整车能耗与重量,增加续航里程;氮化镓器件则在5G基站射频电路中展现出高功率密度、高效率等性能,有效缩小基站体积与成本。

但相比传统硅功率器件封装,SiC和GaN具有的优点也对器件的物理保护、散热、电气连接等提出了更严苛的要求,必须通过专门的封装设计解决。既要解决高频高压下的电气性能瓶颈,也要应对高功率密度带来的散热和可靠性挑战,技术要求更高。

作为芯片实现价值的“最后一公里”,半导体封装测试环节是产业链不可或缺的重要一环。此次伯芯微电子落户天津经开区,将为区域半导体产业链补上关键一环,进一步完善主题园区产业生态,提升产业整体竞争力。

 

(集邦化合物半导体整理)

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