中芯国际:未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 | 发布日期 2025 年 08 月 11 日 16:42 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

8月7日,中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示,公司未来将根据国际客户的“China for China”需求,配合建立 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化镓)等第三代半导体产能。

这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展,旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求,同时加强与国际客户的合作。

据悉,中芯国际过去新增的功率器件产能是基于战略客户的需求,尤其是国外IDM 客户要求提供整套产品方案而建设的。目前,这些产能规模上量后处于供不应求状态。

中芯国际2025年第二季度财报显示,公司销售收入为22.09亿美元,环比下降1.7%;毛利率为20.4%,环比下降2.1个百分点。

尽管面临一定的财务压力,但公司预计第三季度收入将环比增长5%至7%,毛利率预计在18%至20%之间。

图片来源:中芯国际

从产能数据看,公司月产能从2025年第一季度的约97.33万片增至第二季度的99.13万片,二季度销售晶圆239.02万片,出货量环比增长4.3%,同比增长13.2%。

在收入结构方面,按应用分类,中芯国际2025年第二季度的收入占比分别为智能手机25.2%,电脑与平板15%,消费电子41%,互联与可穿戴8.2%,工业与汽车10.6%。

按晶圆尺寸分类,二季度12英寸晶圆营收占比为76.1%,而8英寸晶圆营收占比为23.9%。

图片来源:中芯国际

市场消息显示,中芯国际在第三代半导体材料(如碳化硅SiC和氮化镓GaN)领域已取得显著技术突破,成功开发了8英寸和12英寸的多种技术平台,为客户提供“一站式”晶圆代工和技术服务。

2024年,公司持续推进12英寸工厂和产能建设计划,特别是在28纳米及以上的成熟制程领域,这些技术节点对第三代半导体器件的制造至关重要。

公司预计在2025年和2026年每年新增4.5万片/月的12英寸产能,这些新增产能将主要用于支持包括汽车电子、工业控制和消费电子等多个应用领域,其中不乏支持第三代半导体器件的生产。

此外,中芯国际在深圳、北京等地的工厂已经锁定车规级芯片需求,表明公司在第三代半导体器件的产能建设中,特别关注新能源汽车等高增长领域。

 

(集邦化合物半导体 竹子 整理)

更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。