当传统硅基半导体逐渐触及物理极限，第三代半导体日益受到重视。碳化硅、氮化镓等产品不仅在新能源汽车、5G通信以及光伏领域扮演关键角色，而且正推动产业从材料到设备、制造等领域的改革，吸引各路厂商积极布局。近期，台积电、X-FAB两家公司传出新进展。
台积电：计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板
近期媒体报道，台积电正号召设备与化合物半导体相关厂商参与，计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。
图片来源：台积电
以往碳化硅主要应用在功率半导体、车用及储能领域，如今已进入新发展阶段，例如在AR智能眼镜（AR Lens）镜片及高端3D IC封装中，需要碳化硅作为散热材料，尤其是应用在散热载板这个部分。
其中，3D IC封装的碳化硅应用有两个可能方向，首先是散热载板，将以「导电型 SiC」优先测试；下一阶段则可能在硅中间层（Silicon Interposer）导入半绝缘型 SiC。
从材料特性来看，碳化硅的热导率（K值）仅次于钻石。陶瓷基板的热导率约200~230W/mK，而碳化硅可达400W/mK、甚至接近500W/mK。 对数据中心与AI高运算需求而言，比传统陶瓷更能满足散热需求。 不过以散热角度来说，钻石仍是理想的最终材料，但要做到12英寸晶圆规格，目前成本过高且技术尚未成熟。
碳化硅主要分为导电型（N型）与半绝缘型。 N型呈现黄绿色半透明，而半绝缘型则接近全透明。业界透露，当前6英寸SiC晶圆仍是主流、8英寸是未来扩产方向，台积电要求的12寸SiC若是作为中间层使用，对结构瑕疵的要求不像传统SiC那样严格，但中间层的关键在于切割技术，如果切割技术不佳，碳化硅的表面会呈波浪状，就无法用于先进封装。
X-FAB：推出GaN-on-Si代工服务
9月4日，X-FAB公司宣布，基于其XG035技术平台推出针对dMode器件的硅基氮化镓（GaN-on-Si）代工服务。此举进一步发挥和强化了X-FAB作为专业纯晶圆代工企业的优势，现可提供涵盖GaN及其它宽禁带半导体材料（包括碳化硅（SiC））的全套加工技术，助力无晶圆厂半导体公司实现设计落地。
X-FAB的GaN-on-Si技术由其位于德国德累斯顿的先进8英寸晶圆厂提供。该厂是X-FAB在全球运营的六大生产基地之一，拥有稳定可靠、符合汽车行业认证标准的制造环境，且配备各类专业加工设备、测量工具和技术，并针对GaN的研发与生产进行了优化，同时兼顾模拟CMOS工艺，能够提供满足汽车、数据中心、工业、可再生能源、医疗等领域客户所需的较厚GaN-on-Si晶圆。
图片来源：X-FAB
图为X-FAB德累斯顿厂制造的8英寸 GaN-on-Si 晶圆
X-FAB多年来在高压GaN技术领域积累深厚，近期发布开放XG035 dMode工艺平台，随后X-FAB将内部专业能力延伸至dMode器件GaN-on-Si代工服务。该工艺包含常用于功率转换应用的dMode HEMT晶体管（电压可扩展范围为100V至650V）。此外，X-FAB还可提供定制化GaN技术和产品，包括dMode、eMode HEMT，以及肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diodes），这些器件广泛应用于高频整流、电源系统，和太阳能电池板等领域。
目前，X-FAB已推出可简化客户设计流程并实现更快速入门的PDK。此外，从2025年第四季度起，还将开放公共MPW服务，允许多个客户共享单片硅晶圆进行芯片制造。这些举措将进一步降低原型设计及小批量生产的准入门槛。
（集邦化合物半导体 秦妍 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。